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一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器制造技术
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下载一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器的技术资料
文档序号:45635124
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本技术公开一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,由高阻硅层、二氧化硅层、共地电极和频率控制结构组成。二氧化硅层和高阻硅层相叠置,且二氧化硅层的下表面与高阻硅层的上表面相贴;频率控制结构叠置于二氧化硅层的上表面,共地电极叠置于高阻硅层的下...
该专利属于华东交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过华东交通大学授权不得商用。
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