一种CVD工艺腔反应气体精准分布装置制造方法及图纸

本技术公开了一种CVD工艺腔反应气体精准分布装置，属于气体分布装置技术领域，其一种CVD工艺腔反应气体精准分布装置，包括上盖板，所述上盖板的上端中部设置有气体调节阀，所述上盖板的上侧内部固定安装有导流管，所述上盖板的下侧固定安装有安装板，所述安装板的下侧固定安装有若干个喷头底座，所述喷头底座的中部固定安装有雾化喷头，所述雾化喷头的上端与导流管连接，通过设置有开关钮和雾化喷头的结构，操作人员可以根据需要，使用开关钮把不需要进行喷涂位置的雾化喷头上侧的电动开关阀关闭，并通过隔离装置把区域进行隔离，可以对下侧的工件进行喷涂反应，减少生产步骤，提高加工效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及气体分布装置，更具体地说，涉及一种cvd工艺腔反应气体精准分布装置。

技术介绍

1、cvd工艺是将基材暴露于一种或多种挥发性气体，这些气体在基材表面上发生反应或分解，从而形成所需的薄膜沉积物。cvd(化学气相沉积)工艺在物品表面喷涂加工方面有着广泛的应用。

2、中国专利公开了一种cvd工艺腔反应气体分布流场的装置(授权公告号cn221192321所述下合板(2)的内腔上侧内壁位于排气槽(18)的位置固定安装有金属网板(19)，所述下合板(2)的内腔底部开设有若干个螺纹安装槽(20))，包括淋喷头，所述淋喷头内设置有内圈分气盘和外圈分气盘，所述外圈分气盘位于内圈分气盘的外侧，所述淋喷头的上方设置有顶盖，所述内圈分气盘的上部连接有内圈进气管壁，所述内圈进气管壁内侧设置有内圈进气口，气体经过内圈进气口进入到内圈分气盘内；所述内圈进气管壁和顶盖之间设置有外圈进气口，气体经过外圈进气口进入到外圈分气盘内，通过改变进入到内圈分气盘和外圈分气盘的进气量来调整内圈分气盘和外圈分气盘内的气体流场分布。该申请通过改变进入到内圈分气盘和外圈分气盘内的进气量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CVD工艺腔反应气体精准分布装置，包括上盖板(1)，其特征在于：所述上盖板(1)的上端中部设置有气体调节阀(5)，所述上盖板(1)的上侧内部固定安装有导流管(12)，所述上盖板(1)的下侧固定安装有安装板(7)，所述安装板(7)的下侧固定安装有若干个喷头底座(10)，所述喷头底座(10)的中部固定安装有雾化喷头(9)，所述雾化喷头(9)的上端与导流管(12)连接，所述雾化喷头(9)的上侧中部固定安装有电动开关阀(14)，所述上盖板(1)的上侧固定安装有与雾化喷头(9)对应的开关钮(4)，所述安装板(7)的下侧等距设置有隔离装置；

2.根据权利要求1所述的一种CVD工艺...

【技术特征摘要】

1.一种cvd工艺腔反应气体精准分布装置，包括上盖板(1)，其特征在于：所述上盖板(1)的上端中部设置有气体调节阀(5)，所述上盖板(1)的上侧内部固定安装有导流管(12)，所述上盖板(1)的下侧固定安装有安装板(7)，所述安装板(7)的下侧固定安装有若干个喷头底座(10)，所述喷头底座(10)的中部固定安装有雾化喷头(9)，所述雾化喷头(9)的上端与导流管(12)连接，所述雾化喷头(9)的上侧中部固定安装有电动开关阀(14)，所述上盖板(1)的上侧固定安装有与雾化喷头(9)对应的开关钮(4)，所述安装板(7)的下侧等距设置有隔离装置；

2.根据权利要求1所述的一种cvd工艺腔反应气体精准分布装置，其特征在于：所述气体调节阀(5)的上侧中部固定安装有通气管(6)，所述上盖板(1)的上侧中部固定安装有导流连接头(13)，所述导流连接头(13)与气体调节阀(5)卡装连接。

3.根据权利要求1所述的一种cvd工艺腔反应气体精准分布装置，其特征在于：所述喷头底座(10)...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖学明，
申请(专利权)人：苏州耀德半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：