半导体结构制造技术

本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构，包括：相互键合的第一芯片和第二芯片；第一芯片包括阵列排布的多个存储阵列，每一存储阵列包括间隔排布的多条位线；第二芯片包括与存储阵列一一对应的感测放大版块；其中，沿位线延伸方向上相邻的两个存储阵列为一对存储阵列，与一对存储阵列对应的两个感测放大版块为一对感测放大版块，一对存储阵列中，一者的部分位线和另一者的部分位线耦接至一对感测放大版块中的一者，一者的剩余位线和另一者的剩余位线耦接至一对感测放大版块中的另一者。本公开实施例至少有利于降低单个芯片在水平方向的布局面积，以及提高对存储阵列中位线的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、为节省芯片面积，包含存储器单元阵列的存储器芯片和具有包含感测放大器及字线驱动器的逻辑电路的逻辑芯片分别被制造在两个不同的晶片上，采用直接混合键合工艺(hybrid bonding)将两个不同的晶片进行混合接合。根据此方法，存储器单元阵列和逻辑电路可通过单独工艺制造。

2、此外，存储器芯片中的各种操作模式可导致存储器单元阵列上的存储单元的存取。在此类操作期间，感测放大器可感测存储单元的电压并输出对应于感测电压的逻辑1或0。当存取时，存储单元可耦接到数字线(例如位线)，而数字线又可耦接到感测放大器。与耦接到存储单元的数字线一起，互补数字线也可耦接到感测放大器。互补数字线的使用可用于提供参考电压电平以更好地区分从存储单元读取/写入到存储单元的值。

3、然而，目前一个存储阵列和与之相邻的一个存储阵列中的部分位线互为参考，并且该存储阵列和与之相邻的另一个存储阵列中的部分位线互为参考。基于此，对于位于边缘的存储阵列而言，该边缘存储阵列只具有一个相邻的存储阵列，则该边缘存储阵列中至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线通过对应的位线延伸部耦接至对应的所述感测放大版块，所述位线延伸部为第一延伸部或第二延伸部，所述位线延伸部和所述位线的延伸方向相同；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包括与所述存储阵列一一对应的位线连接版块，所述位线延伸部的一端位于所述位线连接版块中，另一端与对应的所述位线电连接；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，相互键合的所述第一芯片和所述第二芯片具有键合界面，所述位线连接版块和所述感测放大版块在所述键合界面上的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线通过对应的位线延伸部耦接至对应的所述感测放大版块，所述位线延伸部为第一延伸部或第二延伸部，所述位线延伸部和所述位线的延伸方向相同；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包括与所述存储阵列一一对应的位线连接版块，所述位线延伸部的一端位于所述位线连接版块中，另一端与对应的所述位线电连接；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，相互键合的所述第一芯片和所述第二芯片具有键合界面，所述位线连接版块和所述感测放大版块在所述键合界面上的正投影重合；

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述一对存储阵列对应的两个所述位线连接版块沿所述位线延伸方向上相邻；

6.根据权利要求2或5所述的半导体结构，其特征在于，所述位线通过导电部电连接对应的所述位线延伸部并耦接至所述感测放大版块；

7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述位线通过导电部电连接对应的所述位线延伸部并耦接至所述感测放大版块；

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：与所述第一延伸部接触连接的第一电连接部，与所述第二延伸部接触连接的第二电连接部；

9.根据权利要求2或7所述的半导体结构，其特征在于，相互键合的所述第一芯片和所述第二芯片具有键合界面，所述第一延伸部在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凤琴，姜伟，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：