【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。
2、为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的器件单元。自从摩尔定律问世以来，业界提出了各种半导体结构设计和工艺优化，以满足人们对当前产品的需求。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、电子设备，以利于在不增大电容器尺寸或者减少电容器尺寸的情况下有效提升电容值，从而提升存储器及电子设备的存储容量。
2、根据一些实施例，本公开一方面提供了一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤。
3、提供衬底，沿垂直衬底方向于衬底上交替形成多层导电材料层和多层绝缘材料层。
4、刻蚀导电材料层和绝缘材料层，以于各导电材料层在平行于衬底的第一方向的边缘分别形成电容器的第一电极，并暴露出第一电...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，两个所述第一子电极沿垂直衬底方向的尺寸相等，为第一尺寸；
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述导电材料层和所述绝缘材料层，以于各所述导电材料层在平行于所述衬底的第一方向的边缘分别形成电容器的第一电极，并暴露出所述第一电极，包括：
6.根据权利要求2所述的半导体结...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，两个所述第一子电极沿垂直衬底方向的尺寸相等，为第一尺寸；
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述导电材料层和所述绝缘材料层，以于各所述导电材料层在平行于所述衬底的第一方向的边缘分别形成电容器的第一电极，并暴露出所述第一电极，包括：
6.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一电极包括两个所述第一子电极和两个第二子电极，所述第二子电极连接两个所述第一子电极；所述刻蚀所述导电材料层和所述绝缘材料层，以于各所述导电材料层在平行于所述衬底的第一方向的边缘分别形成电容器的第一电极，并暴露出所述第一电极，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一电极容置槽的槽壁上形成所述第一电极，包括：
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一电极中的两个所述第一子电极和两个所述第二子电极相互连接成环形结构；所述形成包覆所述第一子电极的介电层，以及覆盖所述介电层的第二电极，包括：
9.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离材料层采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，在垂直衬底方向上相邻的所述第一电极之间的所述绝缘材料层采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀。
10.根据权利要求6所述的半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：桂文华，戴瑾，王祥升，王桂磊，艾学正，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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