【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，尤其涉及半导体晶圆键合。
技术介绍
1、随着三维集成电路逐渐发展，混合键合技术由于键合密度高、互连距离短等优点成为晶圆键合的首选方案之一。混合键合技术对晶圆的对准精度要求较高，若未完全对准，两片晶圆键合焊盘(bonding pad)间的接触电阻将变大，甚至可能发生断路现象，导致晶圆键合失败。
2、为了解决上述问题，提出了增加键合焊盘的尺寸使之可以包覆另一片晶圆上的键合焊盘。但焊盘尺寸的增加意味着键合密度的减小，导致两片晶圆键合后的互连密度降低，随着三维集成技术的发展，较小的互连密度将成为芯片性能提高的严重制约。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种优化的半导体键合结构和工艺。
2、为此本申请提供了一种半导体键合结构，其包括第一衬底，形成于所述第一衬底上的第一键合介质层，以及至少一个第一键合焊盘，其中，所述第一键合焊盘的第一部分设置于所述第一键合介质层中，所述第一键合焊盘的第二部分突出于所述第一键合介质层的表面形成第一自对准结构；第二衬底，...
【技术保护点】
1.一种半导体键合结构，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第一衬底还包括第三键合焊盘，所述第三键合焊盘的远离所述第一衬底的表面与所述第一键合介质层的远离所述第一衬底的表面齐平，对应地，所述第二衬底还包括第四键合焊盘，所述第四键合焊盘的远离所述第二衬底的表面与所述第二键合介质层的远离所述第二衬底的表面齐平，从而与所述第三键合焊盘进行键合。
3.根据权利要求1所述的半导体键合结构，其特征在于：第一自对准结构包括第一倾斜度或者第一弧形结构或者第一半圆形结构，所述第二自对准结构包括第二倾斜度或者第二弧形结构或者第
【技术特征摘要】
1.一种半导体键合结构，其特征在于：包括
2.根据权利要求1所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第一衬底还包括第三键合焊盘，所述第三键合焊盘的远离所述第一衬底的表面与所述第一键合介质层的远离所述第一衬底的表面齐平，对应地，所述第二衬底还包括第四键合焊盘，所述第四键合焊盘的远离所述第二衬底的表面与所述第二键合介质层的远离所述第二衬底的表面齐平，从而与所述第三键合焊盘进行键合。
3.根据权利要求1所述的半导体键合结构，其特征在于：第一自对准结构包括第一倾斜度或者第一弧形结构或者第一半圆形结构，所述第二自对准结构包括第二倾斜度或者第二弧形结构或者第二半圆形结构。
4.根据权利要求3所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第一倾斜度等于第二倾斜度，或者所述第一弧形结构的弧度等于所述第二弧形结构的弧度，或者所述第一半圆结构的半径等于所述第二半圆结构的半径。
5.根据权利要求3所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第一键合焊盘的第一部分和所述第一键合焊盘的第二部分具有相同的倾斜度。
6.根据权利要求3所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第一键合焊盘的第一部分和所述第一键合焊盘的第二部分具有不相同的倾斜度或角度。
7.根据权利要求3所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第二键合介质层凹槽的远离所述第二衬底的第一部分和临...
【专利技术属性】
技术研发人员：周亦康，卜伟海，冯玉昆，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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