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本申请公开了一种半导体键合结构，其包括第一衬底，形成于所述第一衬底上的第一键合介质层，以及至少一个第一键合焊盘，其中，所述第一键合焊盘的第一部分设置于所述第一键合介质层中，所述第一键合焊盘的第二部分突出于所述第一键合介质层的表面形成第一自对...
该专利属于北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司授权不得商用。

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