【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试治具，尤其涉及一种芯片良裸晶粒测试治具及测试方法。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt（双极型三极管）和mos（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。良裸晶粒（known good die，kgd，又称已知合格芯片）测试描述那些已经通过严格测试，确认质量和可靠性达到特定标准的裸芯片（die）。为确保供应igbt器件的良品率，在igbt器件贴装芯片前，必须对所使用的裸芯片进行缺陷筛查及性能测试，验证裸芯片的电学参数和功能，筛除不符合需求的裸芯片，以确保供应产品质量及性能可靠，减小igbt器件产量的损失。
2、未封装的裸芯片厚度较薄（75-150μm），kgd测试时则需要超大电流（400a以上持续2ms，1000a以上90ns瞬时电流）和超大电压（600v以上），现有测试治具加热速度较慢，进行高温高压测试时，测试环境存在空气，导致芯片容...
【技术保护点】
1.一种芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，包括：底座，所述底座上通过支撑座安装有治具本体；
2.根据权利要求1所述的芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，所述治具本体两侧安装有第一夹持块，所述第一夹持块开设有第一固定孔，所述第一夹持块中部设置有弧形槽。
3.根据权利要求1所述的芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，所述治具本体前后安装有第二夹持块，所述第二夹持块开设有第二固定孔，所述第二夹持块侧部安装有气路连接头。
4.根据权利要求3所述的芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，所述气路连接头包括常温氮气进口接头、常温氮气出口接头、第一常温空气真...
【技术特征摘要】
1.一种芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，包括：底座，所述底座上通过支撑座安装有治具本体；
2.根据权利要求1所述的芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，所述治具本体两侧安装有第一夹持块，所述第一夹持块开设有第一固定孔，所述第一夹持块中部设置有弧形槽。
3.根据权利要求1所述的芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，所述治具本体前后安装有第二夹持块，所述第二夹持块开设有第二固定孔，所述第二夹持块侧部安装有气路连接头。
4.根据权利要求3所述的芯片良裸晶粒测试治具，其特征在于，所述气路连接头包括常温氮气进口接头、常温氮气出口接头、第一常温空气真空接头和第二常温空气真空接头，所述氮气进口接头和常温氮气出口接头安装于第二夹持块两侧，所述第一常温空气真空接头和第二常温空气真空接头安装于另一第二夹持块两侧。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓泽龙，严长明，黄凌山，
申请(专利权)人：苏州圭石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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