【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置及电子装置的制造方法，并且更具体地，涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元占用的面积确定。近来，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：外围电路，其位于基板上；层叠结构，其在非核心区域中位于外围电路上方并且包括交替地且重复地层叠的绝缘层和牺牲层；沟道图案，其位于层叠结构上；晶体管，其位于沟道图案上；接触结构，其延伸穿过层叠结构并且将外围电路电连接到沟道图案；栅极结构，其在核心区域中位于外围电路上方并且包括交替地且重复地层叠的绝缘层和导电层；第一源极图案，其位于栅极结构上；以及沟道结构，其延伸穿过栅极结构以接触第一源极图案。
2、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：基板；第一晶体管，其...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体管包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅电极包括多晶硅、金属或它们的组合。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于所述第一源极图案上的第二源极图案。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括连接到所述栅电极、所述结、所述第一源极图案和所述第二源极图案中的至少一者的接触通孔。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二源极图案与所述栅电极具有基本相同的厚度。
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体管包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅电极包括多晶硅、金属或它们的组合。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于所述第一源极图案上的第二源极图案。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括连接到所述栅电极、所述结、所述第一源极图案和所述第二源极图案中的至少一者的接触通孔。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二源极图案与所述栅电极具有基本相同的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触结构将所述晶体管和所述外围电路彼此电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于所述外围电路与所述层叠结构之间的接合结构。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道图案包括单晶硅。
10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二晶体管包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述栅电极包括多晶硅、金属或它们的组合。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括连接到所述栅电极和所述结中的至少一者的接触通孔。
14.根据权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于所述第一源极图案上的第二源极图案。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，所述半导体装置还包括连接到所述第一源极图案和所述第二源极图案中的至少一者的接触通孔。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述第二晶体管包括与所述第二源极图案具有基本相同的厚度的栅电极。
18.一种用于制造半导体装置的...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔殷硕，金东元，朴楢珍，朴熙祐，洪暎玉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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