【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电，具体涉及一种光电器件、光电器件的制备方法以及电子设备。
技术介绍
1、光电器件是指一类利用半导体的光电效应制成的器件，包括但不限于是光电器件、太阳能电池或光电探测器。以发光器件为例，发光器件包括但不限于是有机发光二极管10(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diodes,qled)，oled/qled具有“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，oled/qled的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
2、光电器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，例如光电器件的器件效率有待进一步地提升。因此，如何进一步地提升光电器件的器件效率对光电器件的应用与发展具有重要意义。
<...【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第二单元的材料在20℃～80℃下的电阻率低于10-3Ω·m；和/或
3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述第一金属选自Au、Ag、Cu、Al、Pt、Rh、Cr、Ni、Sn、Nb以及Fe中的一种或多种，和/或所述第一金属氧化物选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化镁、CdO、SnO2、以及In2O3的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的光电器件，...
【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第二单元的材料在20℃～80℃下的电阻率低于10-3ω·m；和/或
3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述第一金属选自au、ag、cu、al、pt、rh、cr、ni、sn、nb以及fe中的一种或多种，和/或所述第一金属氧化物选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化镁、cdo、sno2、以及in2o3的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点以及有机-无机杂化钙钛矿量子点的一种或多种...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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