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本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：外围电路，其位于基板上；层叠结构，其在非核心区域中位于外围电路上方并且包括交替地且重复地层叠的绝缘层和虚设层；沟道图案，其位于层叠结构上；晶体管，其位于沟道图案上；接触结构，其...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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