【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sic器件生产，尤其涉及一种半导体器件结构及其制备方法。
技术介绍
1、硅基igbt(绝缘栅双极型晶体管)因其高压高电流特性被广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器等场景。然而，随着技术的发展与应用需求的提升，硅基igbt的局限性日益凸显。具体为硅基igbt无法承受高频工况，在高频环境下运行时性能不佳；同时，功耗较大，这不仅增加了能源消耗成本，也限制了其在对能效要求较高领域的应用。随着碳化硅(sic)材料的兴起，其优异的物理特性(如高击穿场强、高热导率及耐高温性能)使得sic mosfet器件逐渐成为硅基igbt的替代方案。研究表明，在相同规格下，sic mosfet的开关损耗较硅基igbt减少约66％，显著提升了系统效率。
2、然而，sic mosfet器件的制造工艺仍面临技术挑战。为提高晶圆利用率，sicmosfet器件的制造过程中通常将对位标记(mark)置于划片道区域，这导致划片道内存在多层介质(如sio2、si3n4)及金属结构。在激光划片过程中，金属层对激光的反射作用以及介质层沉积与刻蚀速率差异引发的厚度...
【技术保护点】
1.一种半导体器件结构，包括沿第一方向依次设置的衬底、漂移区和若干保护层，所述保护层中对应半导体器件的相邻元胞区之间开设有划片道；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于：
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于：
7.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件结构，其特征在于：
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，包括沿第一方向依次设置的衬底、漂移区和若干保护层，所述保护层中对应半导体器件的相邻元胞区之间开设有划片道；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于：
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，李理，陈唯一，刘颖聪，张其洋，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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