减少磷硅玻璃中磷析出的方法、半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种减少磷硅玻璃中磷析出的方法、半导体器件及其制作方法，属于半导体领域。该减少磷硅玻璃中磷析出的方法包括提供一纯二氧化硅衬底，通过多次循环沉积的方式在纯二氧化硅衬底的表面沉积磷硅玻璃层至目标厚度，并在相邻两次沉积磷硅玻璃层的间隙，向磷硅玻璃层的表面通入惰性气体，以去除磷硅玻璃层未键合的含磷气体。本发明专利技术通过将磷硅玻璃层未键合的含磷气体去除，从而能够避免在磷硅玻璃层产生磷析出的问题。确保半导体器件性能长期的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种减少磷硅玻璃中磷析出的方法、半导体器件及其制作方法。

技术介绍

1、当晶体管器件的结构制作完成之后，进入后段铜工艺之前，需要一层金属前介质层(pre-metal dielectric，pmd)，将晶体管器件表面高低不平的栅与源漏区填充并将表面磨平，为晶体管器件后段铜工艺的平整化奠定基础。psg(phospho-silicicate glass,psg)薄膜常用于pmd。psg是在usg(纯二氧化硅)中掺杂了p元素的磷硅酸玻璃，具有较好的热回流性和电绝缘性，能够作为金属介电层，提高薄膜表面平坦化，以及提高集成电路的稳定性。将psg作为pmd，主要因为psg中的磷具有一定的吸杂作用，可以有效控制晶体管器件的杂质含量，保证器件的工作范围和稳定性。

2、但是，psg薄膜中存在未键合的磷。未键合的磷会析出，被空气中的氧气氧化，并发生吸水的现象，进而生成磷酸，在晶体管器件的表面生成凸起的缺陷，即，其中未键合的磷存在析出的问题。随着时间的延长，磷析出问题越严重。

3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，所述磷硅玻璃层的目标厚度为

3.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，每次沉积磷硅玻璃层的厚度范围为

4.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，向磷硅玻璃层的表面通入惰性气体的流量为25～40slm，持续时间5s～8s。

5.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气、氮气和氦气中的一种或他们任意的组合。

6.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，所述磷硅玻璃层的目标厚度为

3.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，每次沉积磷硅玻璃层的厚度范围为

4.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，向磷硅玻璃层的表面通入惰性气体的流量为25～40slm，持续时间5s～8s。

5.根据权利要求1所述的减少磷硅玻璃中磷析出的方法，其特征在于，所述惰性气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小洁，宋享金，黄俊宪，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：