【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装领域，特别涉及一种板级与晶圆级组合封装制作方法。
技术介绍
1、现有倒装晶圆封装为小条单元封装或者单颗封装，基板需要提前切割成小条单元或者单颗，然后将小条单元基板或者单颗基板与晶圆进行封装，封装效率低，并且在切割成小条单元或者单颗基板以及晶圆时会产生报废影响成本，单颗晶圆在贴装时由于贴装精度以及晶圆厚度影响在贴装的过程中会造成晶圆报废。
2、同时，现有基板via/pth制作技术，依托镭射/机械加工，然后电镀实现孔内有铜，起到上下层rdl相连通，现有技术via/pth制作，使用镭射/机械加工方式，完全受设备能力限制，当孔径尺寸到超出设备能力时，则产品无法加工出来。
3、现有的晶圆封装工艺较为复杂，包括先将晶圆固定到基板上，并在晶圆上形成介电层，实现晶圆的固定，让然后通过图形转移蚀刻的方式形成连通孔，对连通孔进行内壁处理后，在连通孔内形成金属导通柱用于晶圆连通位导出，才可以进行上层布线，多层芯片制作时，需要多次重复上述工序，然后通过层压工艺对产品进行升温加压固定，最后在最上层进行塑封实现封...
【技术保护点】
1.一种板级与晶圆级组合封装制作方法，其特征在于：所述方法包括将整板的晶圆直接嵌入在已经制作好腔体的板级基板上，并通过塑封固定，然后通过金属原子注入的方式将晶圆的金属连接位引出，再进行增层和模组结构制作，完成后对整板进行切割成单个单元的封装晶圆组合或条级晶圆组合；所述方法具体步骤包括：
2.根据权利要求1所述的一种板级与晶圆级组合封装制作方法，其特征在于：所述金属原子注入的方式具体为在对应位置植入导通金属原子，通过高速植入原子动能将对应位置材料的大分子间隙填充上金属原子，高密度的金属原子可以实现上下导通。
3.根据权利要求1所述的一种板级与晶圆...
【技术特征摘要】
1.一种板级与晶圆级组合封装制作方法，其特征在于：所述方法包括将整板的晶圆直接嵌入在已经制作好腔体的板级基板上，并通过塑封固定，然后通过金属原子注入的方式将晶圆的金属连接位引出，再进行增层和模组结构制作，完成后对整板进行切割成单个单元的封装晶圆组合或条级晶圆组合；所述方法具体步骤包括：
2.根据权利要求1所述的一种板级与晶圆级组合封装制作方法，其特征在于：所述金属原子注入的方式具体为在对应位置植入导通金属原子，通过高速植入原子动能将对应位置材料的大分子间隙填充上金属原子，高密度的金属原子可以实现上下导通。
3.根据权利要求1所述的一种板级与晶圆级组合封装制作方法，其特征在于：所述晶圆的嵌入方向可以根据需求进行选择，通过原子注入的方式可以实现在基板上无需打孔进行导通的效果。
4.根据权利要求1所述的一种板级与晶圆级组合封装制作方法，其特征在于：所述金属原子注入前需要在注入面上铺设遮掩层。
5.根据权利要求4所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永辉，环珣，
申请(专利权)人：苏州亿麦矽半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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