【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及涂层制备，尤其是涉及一种高热导非晶氮化物涂层及其制备方法和应用。
技术介绍
1、氮化硅(si3n4)涂层因其优异的物理、化学和机械特性，在半导体领域中得到了广泛的应用。在芯片制造中，氮化硅常作为钝化层，保护半导体表面免受环境污染；在光刻工艺中，氮化硅作为防反射涂层(arc)，减少光学干扰，提升图形的清晰度和分辨率；晶体硅太阳能电池中，氮化硅作为表面钝化层和抗反射涂层，可以提升光吸收率和电池效率；金属氧化物半导体(mos)器件中，氮化硅作为栅氧化层或介电层，提供优异的电气绝缘性。
2、在金属氧化物半导体器件中，栅极介质的散热是一个重要问题，尤其是在高性能和高功率密度的应用场景中。由于mos器件的栅极介质通常是绝缘材料(如非晶二氧化硅、非晶氮化硅、二氧化铪等)，这些材料的热导率极低2-5w/mk，因此有效散热对维持器件的性能和可靠性至关重要。
3、为此，亟需一种新型栅极介电涂层材料，特别是涂层在充当绝缘特性的同时具备较高的热导率，从而可以帮助半导体器件更快地散发热量，避免过高的工作温度影响器件性能，甚至
【技术保护点】
1.一种高热导非晶氮化物涂层，其特征在于，所述高热导非晶氮化物涂层由晶体和非晶基体组成，所述晶体弥散分布于非晶基体中，
2.根据权利要求1所述的一种高热导非晶氮化物涂层，其特征在于，所述晶体和非晶基体的体积分数百分比为1～100：1～100。
3.一种如权利要求1或权利要求2所述的高热导非晶氮化物涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
4.根据权利要求3所述的一种高热导非晶氮化物涂层的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述基体材料选自硅片、金属或陶瓷基片。
5.根据权利要求3所述的一种高热导非晶氮化物涂层的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种高热导非晶氮化物涂层，其特征在于，所述高热导非晶氮化物涂层由晶体和非晶基体组成，所述晶体弥散分布于非晶基体中，
2.根据权利要求1所述的一种高热导非晶氮化物涂层，其特征在于，所述晶体和非晶基体的体积分数百分比为1～100：1～100。
3.一种如权利要求1或权利要求2所述的高热导非晶氮化物涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
4.根据权利要求3所述的一种高热导非晶氮化物涂层的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述基体材料选自硅片、金属或陶瓷基片。
5.根据权利要求3所述的一种高热导非晶氮化物涂层的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述预处理基体的方法如下：
6.根据权利要求5所述的一种高热导非晶氮化物涂层的制...
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