【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片加工，涉及一种碲化镉薄膜的制备方法及设备。
技术介绍
1、未经处理的碲镉汞表面会产生大量悬挂键，暴露在空气中表面会形成一层氧化层，这层原生的氧化层非常不稳定，如果不进行任何处理，会严重影响器件性能。因此，要在其表面覆盖碲化镉膜，用于消除表面悬挂键，保护碲镉汞表面。r.pal等人在碲镉汞表面生长碲化镉钝化层后，对其进行退火，碲化镉/碲镉汞界面处的碲和汞就会在两者之间发生互扩散，碲镉汞中的汞向钝化层碲化镉中扩散，碲化镉中的碲向碲镉汞内部扩散，从而在碲化镉/碲镉汞界面附近形成组分梯度变化的区域，组分的梯度变化使得碲化镉/碲镉汞界面附近的能带发生弯曲，在碲化镉/碲镉汞界面附近形成内建电场，并且靠近碲化镉附近的禁带宽度较大，在相同的钝化层电荷密度下，碲镉汞不容易形成反型状态(pal r,malik a,srivastav v,et al.compositionally graded interface for passivation of hgcdtephotodiodes[j].journal of electronic ma...
【技术保护点】
1.一种碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：利用垂直磁控溅射设备制备碲化镉薄膜，垂直磁控溅射设备包括真空室(3)，相对放置并可调节距离的设置在真空室(3)中的放置靶材的射频台(1)和固定金属载盘的样品台(2)，真空室(3)还设置驱动样品台(2)转动的转轴(4)和控制样品台(2)温度的温度控制部件；射频台(1)连接射频电源的阴极，样品台(2)连接射频电源的阳极；
2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：步骤一中所述的样品是碲锌镉衬底的碲镉汞材料。
3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：步骤二中真空室(3)的真空...
【技术特征摘要】
1.一种碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：利用垂直磁控溅射设备制备碲化镉薄膜，垂直磁控溅射设备包括真空室(3)，相对放置并可调节距离的设置在真空室(3)中的放置靶材的射频台(1)和固定金属载盘的样品台(2)，真空室(3)还设置驱动样品台(2)转动的转轴(4)和控制样品台(2)温度的温度控制部件；射频台(1)连接射频电源的阴极，样品台(2)连接射频电源的阳极；
2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：步骤一中所述的样品是碲锌镉衬底的碲镉汞材料。
3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：步骤二中真空室(3)的真空度设定为5.0ⅹ10-7mbar。
4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：步骤三中加热样品台(2)使金属载盘的温度保持在100℃-12...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓漫君，周松敏，王溪，林春，解晓辉，赵玉，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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