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本发明涉及一种碲化镉薄膜的制备方法及设备，利用垂直磁控溅射设备制备碲化镉薄膜，先将样品台和射频台的距离调节至理论最佳值，然后调节溅射功率、工艺压强和衬底温度，获得高质量的薄膜。解决了现有技术中制备的碲化镉薄膜经进行互扩散退火后出现很多孔洞的...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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