SGT器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SGT器件的制造方法，包括步骤：形成沟槽。形成由第一氧化层、第二氮化硅层和第三氧化层叠加而成的场介质层。形成源多晶硅层。进行以第二氮化硅层为停止层的化学机械研磨以将半导体衬底表面的场介质层减薄。形成第一掩膜层将有源区打开。进行第一次多晶硅刻蚀以将有源区的源多晶硅层的顶部表面降低到所需位置。进行第一次氧化层刻蚀以去除暴露的第三氧化层。去除第一掩膜层。进行第一次氮化硅刻蚀以去除暴露的第二氮化硅层。去除有源区中沟槽侧面暴露的第一氧化层以及形成多晶硅间介质层、栅介质层和多晶硅栅。本发明专利技术能保证场介质层的厚度较厚从而满足耐压要求的条件下，消除场介质层过厚所带来的多晶硅栅的刻蚀残留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽(sgt)器件的制造方法。

技术介绍

1、随着udsgt产品电压段的提升，场氧厚度越来越厚，在流片过程中发现由于场氧厚度越来越厚，有源区(aa)以外区域氧化层厚度也随之越来越后，且在aa区与周边的终端区也即保护环(gr)区或伪结构(dummy)区域交界位置存在台阶差，在后续栅极(gate)多晶硅(poly)刻蚀过程中会在氧化层厚度过渡区域以及氧化层厚度偏厚位置形成poly残留；氧化层厚度过渡区域poly残留会将gate连接(linkup)区域与源(source)linkup区连接起来，导致器件g/s短接；另外，氧化层偏厚区域poly残留导致接触孔(ct)无法正常打开，导致击穿电压(bv)下降(drop)。sgt器件的栅极结构包括左右型结构和上下型结构，udsgt表示上下型结构，是指源多晶硅和多晶硅栅呈上下结构。

2、目前sgt在氧化层厚度过渡区域及氧化层偏厚区域残留的poly过厚，单纯的增加poly刻蚀过刻蚀(0e)量，会导致器件单元(cell)区域gate poly即多晶硅栅过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SGT器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

2.如权利要求1所述的SGT器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的SGT器件的制造方法，其特征在于：所述第一氧化层采用热氧化工艺形成；

4.如权利要求1所述的SGT器件的制造方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度大于且小于等于

5.如权利要求1所述的SGT器件的制造方法，其特征在于：所述源多晶硅层采用多晶硅沉积工艺加多晶硅刻蚀形成。

6.如权利要求1所述的SGT器件的制造方法，其特征在于：所述源多晶硅层形成之后，还包括：在所述源多晶硅层...

【技术特征摘要】

1.一种sgt器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

2.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：所述第一氧化层采用热氧化工艺形成；

4.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度大于且小于等于

5.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：所述源多晶硅层采用多晶硅沉积工艺加多晶硅刻蚀形成。

6.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：所述源多晶硅层形成之后，还包括：在所述源多晶硅层的顶部表面形成内衬氧化层；

7.如权利要求6所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：通过湿法清洗去除所述内衬氧化层。

8.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其特征在于：所述第一掩膜层由光刻胶组成。

9.如权利要求1所述的sgt器件的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鑫栋，张蕾，潘嘉，杨继业，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：