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本发明公开了一种SGT器件的制造方法，包括步骤：形成沟槽。形成由第一氧化层、第二氮化硅层和第三氧化层叠加而成的场介质层。形成源多晶硅层。进行以第二氮化硅层为停止层的化学机械研磨以将半导体衬底表面的场介质层减薄。形成第一掩膜层将有源区打开。进...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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