一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，阵列基板包括：衬底基板；设于衬底基板之上的第一栅极层，第一栅极层包括第一栅极；设于第一栅极层的背离衬底基板一侧的缓冲层；设于缓冲层的背离衬底基板一侧的半导体层；设于半导体层的背离衬底基板一侧的源漏金属层，源漏金属层包括与半导体层连接的源极和漏极；其中，缓冲层包括邻接半导体层的第一表面，至少在第一区域内，第一表面呈平坦面，以使半导体层上无爬坡区域，第一区域为半导体层在衬底基板上的正投影所覆盖的区域。本公开中的阵列基板及其制作方法、显示装置可提升半导体层的掺杂均匀性，解决像素无法点亮的异常现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

技术介绍

1、在相关技术中，一些显示产品中，例如，以采用底栅结构的氧化物薄膜晶体管(oxide tft)作为驱动晶体管的显示基板中，存在像素无法点亮的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述相关技术中至少一种技术问题，本公开实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

2、本公开实施例所提供的技术方案如下：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括：

4、衬底基板；

5、设于所述衬底基板之上的第一栅极层，所述第一栅极层包括第一栅极；

6、设于所述第一栅极层的背离所述衬底基板一侧的缓冲层；

7、设于所述缓冲层的背离所述衬底基板一侧的半导体层；

8、设于所述半导体层的背离所述衬底基板一侧的源漏金属层，所述源漏金属层包括与所述半导体层连接的源极和漏极；其中，

9、所述缓冲层包括邻接所述半导体层的第一表面，至少在第一区域内，所述第一表面呈平坦面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少在所述第一区域内，所述第一栅极层为连续设置不存在镂空区域的整面膜层，以使所述第一表面呈平坦面；其中，所述第一栅极层的主体材料选用未掺杂前不具有导电性、且掺杂后具有导电性的第一材料制成，且所述第一栅极层包括包含掺杂材料的掺杂区和不包含掺杂材料的非掺杂区，所述掺杂区至少包括所述第一栅极的图案。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一材料包括硅，所述掺杂材料包括硼和/或磷。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少在所述第一区域内，在所述第一栅极...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少在所述第一区域内，所述第一栅极层为连续设置不存在镂空区域的整面膜层，以使所述第一表面呈平坦面；其中，所述第一栅极层的主体材料选用未掺杂前不具有导电性、且掺杂后具有导电性的第一材料制成，且所述第一栅极层包括包含掺杂材料的掺杂区和不包含掺杂材料的非掺杂区，所述掺杂区至少包括所述第一栅极的图案。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一材料包括硅，所述掺杂材料包括硼和/或磷。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少在所述第一区域内，在所述第一栅极层的远离所述半导体层的一侧邻近所述第一栅极层的第一结构层在面向所述半导体层的一侧设有凹槽，所述第一结构层包括所述衬底基板、和/或所述第一栅极层与所述衬底基板之间的任一膜层；所述第一栅极位于所述凹槽内，且所述第一栅极与所述第一结构层在靠近所述半导体层的一侧表面齐平，以使所述第一表面呈平坦面。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少在所述第一区域内，所述缓冲层随形覆盖所述第一栅极、且在所述第一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王纯阳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：