【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，尤其是涉及一种栅槽结构、晶体管及其制造方法。
技术介绍
1、场效应晶体管器件的栅长参数尤为重要，决定了器件的频率特性，为了满足毫米波雷达等产品所需的高频特性，需要尽量减小栅长尺寸。现有技术为了提高器件的跨导，往往采用栅槽刻蚀技术，并且为了有效抑制电流崩塌效应，提升输出功率及增益，往往采用介质层钝化，一般采用氮化硅材质作为介质层，所以栅槽的制造通常是刻蚀氮化硅的工艺，而栅长即刻蚀后的栅槽底部的尺寸。
2、为了将栅尺寸做到更小，就需要光刻后的栅槽底部尺寸更小，然而这样就会提高对光刻机的精度要求，导致设备采购成本大幅提高，且技术难度大，因此如何在现有光刻设备的精度条件下实现更小的栅尺寸这一问题亟待解决。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种栅槽结构、晶体管及其制造方法，以在不增加设备投入成本的前提下减小栅尺寸。
2、为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本申请实施例提供一种栅槽结构，用于晶体管，包括依次叠...
【技术保护点】
1.一种栅槽结构，用于晶体管，其特征在于，包括依次叠加设置的衬底(1)、外延层(2)和叠加介质层(3)；所述叠加介质层(3)上开设有栅槽(4)，所述栅槽(4)远离所述衬底(1)一侧的宽度大于靠近所述衬底(1)一侧的宽度，且所述栅槽(4)贯穿整个所述叠加介质层(3)；所述叠加介质层(3)包括叠加设置的至少两个薄膜层，且各所述薄膜层的密度由靠近所述衬底(1)侧向远离所述衬底(1)侧依次减小。
2.如权利要求1所述的栅槽结构，其特征在于，所述叠加介质层(3)的材料包括SiO2、SiNx或HfO2中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的栅槽结构，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种栅槽结构，用于晶体管，其特征在于，包括依次叠加设置的衬底(1)、外延层(2)和叠加介质层(3)；所述叠加介质层(3)上开设有栅槽(4)，所述栅槽(4)远离所述衬底(1)一侧的宽度大于靠近所述衬底(1)一侧的宽度，且所述栅槽(4)贯穿整个所述叠加介质层(3)；所述叠加介质层(3)包括叠加设置的至少两个薄膜层，且各所述薄膜层的密度由靠近所述衬底(1)侧向远离所述衬底(1)侧依次减小。
2.如权利要求1所述的栅槽结构，其特征在于，所述叠加介质层(3)的材料包括sio2、sinx或hfo2中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的栅槽结构，其特征在于，所述叠加介质层(3)包括叠加设置的3个薄膜层，由靠近所述衬底(1)向远离所述衬底(1)方向依次为第一薄膜层(31)、第二薄膜层(32)和第三薄膜层(33)。
4.如权利要求3所述的栅槽结构，其特征在于，所述第一薄膜层(31)为lpcvd薄膜或mocvd薄膜，所述第二薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯琪雁，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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