【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及烧结制造，尤其是涉及一种芯片共晶烧结的压接方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、相关技术中，为提高芯片共晶烧结质量，降低空洞率，在芯片共晶烧结时，通常会在芯片表面加重力压块或者局部增加压力(如，针接触式或镂空式压块等)，该方式中，压块尺寸需要对应芯片尺寸，加工难度较大；并且，在作业过程中因压块较重，无法使用机台取放，需要人工介入取放，容易导致芯片表面划伤。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片共晶烧结的压接方法、装置及电子设备，以降低压块的加工难度，并避免芯片表面划伤。
2、本专利技术提供的一种芯片共晶烧结的压接方法，方法包括：接收用户发出的第一指令和第二指令；根据第一指令拾取亲磁金属薄片，并将亲磁金属薄片放置在预组装基板的芯片上，得到组装后的基板；其中，预组装基板由下至上依次包括：预设基板、预成型焊片和芯片；根据第二指令，将组装后的基板放置在预设磁性工装内，以通过磁性工装内的磁铁的磁力吸附亲磁金属薄片，以压接芯片。
3、进一步的，亲磁金...
【技术保护点】
1.一种芯片共晶烧结的压接方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亲磁金属薄片的厚度小于2毫米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亲磁金属薄片的尺寸为所述芯片的尺寸的80％—100％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性工装内的磁铁位于所述芯片的正下方。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁铁的耐温大于350°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁铁的上表面与所述组装后的基板的下表面直接接触；或者，所述磁铁的上表面...
【技术特征摘要】
1.一种芯片共晶烧结的压接方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亲磁金属薄片的厚度小于2毫米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亲磁金属薄片的尺寸为所述芯片的尺寸的80％—100％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性工装内的磁铁位于所述芯片的正下方。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁铁的耐温大于350°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁铁的上表面与所述组装后的基板的下表面直接接触；...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨琼，宋军，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。