【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钙钛矿光电探测器制备，具体涉及一种高宽带光吸收效率的钙钛矿光探测器及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料由于其优异的光学和电学特性在光电探测器领域得到迅速发展。然而，由于钙钛矿材料本身具有较高的折射率，会使入射光在界面处发生菲涅尔反射和透射，导致入射光子不能被完全循环，引起光子能量损失，这将在一定程度上影响钙钛矿材料对入射光子的吸收和利用率，进而影响器件的响应度，不利于实现高灵敏度探测。针对这一问题，将钙钛矿材料构筑微纳结构、与低维材料、量子点复合等方法可以显著提高器件的光响应度，但是，这些方法通常只对特定波段的入射光产生吸收，限制了其在宽光谱光电探测中的应用。因而，寻求电子态与光子态协同操控的方法，提高钙钛矿材料本征的宽带光吸收效率和利用率，是钙钛矿材料光电探测器面临的主要挑战之一。
技术实现思路
1、本专利技术要解决现有技术中的技术问题，提供一种高宽带光吸收效率的钙钛矿光探测器及其制备方法。本专利技术的钙钛矿光探测器，其是将钙钛矿材料进行...
【技术保护点】
1.一种高宽带光吸收效率的钙钛矿光探测器，其特征在于，包括衬底，及依次设置在所述衬底上的由钙钛矿超构表面-Ag薄膜-SiO2薄膜形成的Fabry-Pérot腔和金属电极；所述钙钛矿超构表面由多个周期性排布的钙钛矿纳米光栅结构组成。
2.根据权利要求1所述的高宽带光吸收效率的钙钛矿光探测器，其特征在于，所述钙钛矿超构表面为有机-无机杂化钙钛矿MAPbI3超构表面、全无机钙钛矿CsPbI3超构表面或者(PEA)2PbI4钙钛矿超构表面。
3.根据权利要求1所述的高宽带光吸收效率的钙钛矿光探测器，其特征在于，所述衬底为SiO2/Si衬底。
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