一种检测刻蚀反应腔内金属残留的方法技术

本发明专利技术提供了一种检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，包括：S01：将晶圆传送于刻蚀设备的刻蚀反应腔中；S02：开启刻蚀设备中的光谱仪；S03：在第一设定时间，使用光谱仪对刻蚀反应腔内的至少一个特定波长段的光谱线进行检测，获取特定波长段的光谱线强度的基准值；S04：在第二设定时间，使用光谱仪刻蚀反应腔内的对至少一个特定波长段的光谱线进行检测，获取特定波长段的光谱线强度的测试值；S05：比较特定波长段的光谱线强度的基准值和测试值，根据比较结果判断刻蚀反应腔内的预设金属的残留情况。上述方法使用光学发射光谱法进行刻蚀反应腔内的预设金属残留情况的实时检测，检测结果可作为刻蚀反应腔内预设金属残留与否的判断依据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种检测刻蚀反应腔内金属残留的方法。

技术介绍

1、现有双大马士革刻蚀工艺，因为刻蚀设备的气体管道中，部分气体过滤组件内含有镍(ni)金属成分，且镍(ni)金属易于与气体管道中的co(一氧化碳)气体发生化学反应，生成四碳基镍(ni(co)4)错化合物。该类错化合物容易随着输送气体传送至刻蚀反应腔体内，并沉积在光刻胶的表面，造成光刻胶在去胶过程中不能被完全去除而残留在晶圆表面，导致后续刻蚀工艺步骤发生异常。因此，监控刻蚀反应腔体内的镍(ni)金属残留与否尤为重要。

2、现有技术中，测量刻蚀反应腔内金属残留的方法通常是在离线状态下将一片或多片已刻蚀的控片样品通过xps或icpms检测其表面的金属残留成分与含量，该类检测方式费时且繁琐，且不能实现对刻蚀反应腔内的金属残留情况的实时检测。

技术实现思路

1、为解决实时检测刻蚀反应腔内的金属残留情况的技术问题，本专利技术提供一种检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，该方法使用光学发射光谱法(oes),简称光谱仪，进行刻蚀反应腔内的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，在步骤S05中，比较所述特定波长段的光谱线强度的基准值和测试值，根据比较结果判断所述刻蚀反应腔内的所述预设金属的残留情况的步骤包括：

3.如权利要求2所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，所述预设金属具有多个所述特定波长段；

4.如权利要求3所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，步骤S05还包括：分别将每个所述特定波长段的光谱线强度比值与所述预设值进行比较，记录所述光谱线强度比值大于所述预设值的所述特定波...

【技术特征摘要】

1.一种检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，在步骤s05中，比较所述特定波长段的光谱线强度的基准值和测试值，根据比较结果判断所述刻蚀反应腔内的所述预设金属的残留情况的步骤包括：

3.如权利要求2所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，所述预设金属具有多个所述特定波长段；

4.如权利要求3所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，步骤s05还包括：分别将每个所述特定波长段的光谱线强度比值与所述预设值进行比较，记录所述光谱线强度比值大于所述预设值的所述特定波长段的数量；

5.如权利要求4所述的检测刻蚀反应腔内金属残留的方法，其特征在于，所述预设金属为镍元素。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张年亨，蔡弦助，张仡，李豹，范光浩，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：