【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在半导体的制造工艺中，通常在衬底上进行多层具有区域选择性的工艺，各层工艺的图案需进行对准。硅外延是的常用工艺之一，在硅外延中，通过将硅片作为籽晶，在硅片表面生长一层薄硅来形成硅外延层，该硅外延层会复制硅片的晶体结构，具有与硅片相同的晶格排列。现有技术中在进行硅外延之前，会在硅衬底蚀刻出凹陷图形即对准标记后进行外延层的生长，外延生长后，对准标记常发生漂移或畸变，图形边缘不再锐利，变模糊，使光刻无法对准，导致后续工艺过程产生误差，从而影响最终形成的半导体器件的电学特性。
2、因此，如何避免外延生长后对准标记变形是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以解决外延生长后对准标记变形的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁形成侧墙，所述侧墙的材料能够...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一材料膜的材料为二氧化硅，所述第二材料膜的材料为氮化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料膜的厚度范围为100埃至130埃。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二材料膜的厚度范围为400埃至700埃。
6.根据权利要求1所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一材料膜的材料为二氧化硅，所述第二材料膜的材料为氮化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料膜的厚度范围为100埃至130埃。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二材料膜的厚度范围为400埃至700埃。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧玲，
申请(专利权)人：广州增芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。