一种改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种改性聚硅烷‑聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体及其制备方法，所述交联共聚闪烁体为由改性聚甲基氢硅烷和聚甲基苯基硅氧烷交联形成的体型交联结构。本发明专利技术将带有2~3个芳香环的闪烁基团通过Grignard反应引入Si‑Si主链，使原有的σ共轭体系扩展为σ‑π和σ‑p‑π共轭体系。与此相对应，引入的π电子和孤对电子（n电子），使之转变为π→σ跃迁和π→n→σ跃迁，从而改变能隙宽度，使聚硅烷的荧光发射光谱变得可调。经过改性后，共轭体系扩大，加之分子间电子传递，提高聚硅烷的荧光强度和量子产率，闪烁基团改性后荧光强度较未改性的聚硅烷‑聚硅氧烷交联共聚物显著提高20~40倍。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高分子发光材料，尤其涉及一种改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体及其制备方法。

技术介绍

1、聚合物荧光材料具有成本低、形状和体积不受限制、环境耐受性强等优点，成为了近年来关注的焦点。现阶段在民用及军事领域，作为信息显示、照明光源、光电器件等领域的支撑材料，体积小、重量轻、大面积、可折叠的荧光材料得到了广泛重视。另外，许多无机和有机荧光材料在吸收高能粒子或射线后能够发射荧光脉冲，因此也称之为闪烁体，是辐射检测的核心材料。光脉冲经光电倍增管转换为电信号并放大，再经主模块计数、存储、处理后得到辐射强度。

2、现有的塑料闪烁体存在以下三方面不足：一是发光效率低。由于聚苯乙烯本身并无荧光特性，而具有荧光性的溶质和波长移位剂分子又分散于溶剂中，因此光量子产率较低。二是对高温和氧气非常敏感。由于溶质和波长移位剂都含有大量的不饱和双键，容易氧化，长期放置会导致发黄、老化开裂、光量子产率降低、荧光弛豫时间拖长等问题，进而影响辐射检测精度。三是毒性强、不环保。现有闪烁溶质和波长位移剂大多为苯同系物和稠环芳烃，毒性较高，具有致癌性，严重威胁生命体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述交联共聚闪烁体为由改性聚甲基氢硅烷和聚甲基苯基硅氧烷交联形成的体型交联结构；其分子结构式为：

2.根据权利要求1所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述改性聚甲基氢硅烷是通过闪烁基团取代聚甲基氢硅烷的Si-H键中的H得到的；所述改性聚甲基氢硅烷的结构为：

3.根据权利要求2所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述聚甲基氢硅烷为线型聚合物，数均聚合度约为18~25，数均分子量约为792~1100。

4.根据权利要求1所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交...

【技术特征摘要】

1.一种改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述交联共聚闪烁体为由改性聚甲基氢硅烷和聚甲基苯基硅氧烷交联形成的体型交联结构；其分子结构式为：

2.根据权利要求1所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述改性聚甲基氢硅烷是通过闪烁基团取代聚甲基氢硅烷的si-h键中的h得到的；所述改性聚甲基氢硅烷的结构为：

3.根据权利要求2所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述聚甲基氢硅烷为线型聚合物，数均聚合度约为18~25，数均分子量约为792~1100。

4.根据权利要求1所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述交联剂为羟基封端的聚甲基苯基硅氧烷，所述交联剂的分子结构为：

5.根据权利要求4所述的改性聚硅烷-聚硅氧烷体型交联共聚闪烁体，其特征在于，所述羟基封端的聚甲基苯基硅氧烷的数均分子量...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦伟，祝博萱，李悦，浦文婧，汪卫华，储德林，杨锦宏，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：