【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及曲面光电探测器制备，特别涉及一种曲面光电探测器阵列及其制备方法。
技术介绍
1、在光电探测器制备领域中，曲面化是第四代光电探测技术发展的前沿要点，曲面构架不仅可以简化光学系统降低成本，并且能够补偿感光面的光学像差提高探测识别能力，在国防科技、医疗器械、航空航天等领域具有重要应用。
2、采用软光刻法和转移法能够实现曲面探测系统的制备，但同时也会增加集成工艺难度，并牺牲了各像素的尺寸，难以实现高密度成像单元。
3、由于商用的电荷耦合器件和互补金属氧化物半导体光电探测器件受限于主流平面型微加工工艺和传统半导体材料，如硅、铟镓砷、二类超晶格和碲镉汞等。由于这类材料的本征机械脆性和热膨胀系数的限制，虽然使用减薄法能够有效制备曲面探测器，但是牺牲了器件的曲率以及视场角，且器件尺寸较大，存在：现有的曲面探测器中像元数量少、弯曲半径大以及视场角小，这样较为明显的缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于：为了解决现有的曲面探测器中像元数量少、弯曲半径大以及视场角小...
【技术保护点】
1.一种曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜厚度为80nm，表面电阻为30Ω/sq。
3.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述阵列型图案化处理包括，光刻胶沉积、紫外曝光、湿法刻蚀、剥离清洗以及臭氧处理。
4.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述像元尺寸、像元间距及阵列规模分别为50μm、40μm及128×128。
5.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜厚度为80nm，表面电阻为30ω/sq。
3.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述阵列型图案化处理包括，光刻胶沉积、紫外曝光、湿法刻蚀、剥离清洗以及臭氧处理。
4.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述像元尺寸、像元间距及阵列规模分别为50μm、40μm及128×128。
5.如权利要求1所述的曲面光电探测器阵列的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层为聚2，3-二氢噻吩并-1，4-二恶英-聚苯乙烯磺酸盐溶液；所述光敏活性层为铯铅碘溶液；所述电子传...
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