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本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种曲面光电探测器阵列及其制备方法。制备方法为在衬底上沉积氧化铟锡薄膜得到ITO衬底；对ITO衬底进行阵列型图案化处理，控制像元尺寸、像元间距及阵列规模得到第一元件；在第一元件上依次旋涂空穴传输层、光敏活...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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