【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体,涉及一种晶圆吸附装置。
技术介绍
1、半导体制造中,晶圆作为被检测对象,需要固定在承片台上,以便进行测量、检测、转运及其它工艺处理。通常采用真空吸附的方式将晶圆吸附固定在承片台上,如图1所示,晶圆01平整或略有翘曲时,真空吸附使得晶圆01和承片台02之间形成负压,将晶圆01牢固地吸附在承片台02;但在半导体产线上,某些工艺加工后的晶圆会因为工艺原因造成晶圆翘曲变形,如图2所示,当晶圆01的翘曲度较大时,晶背和承片台02之间的不能形成密封腔或者间隙太大不能形成足量的吸附力,晶圆01将无法吸附在承片台02上。
2、针对翘曲度大的晶圆,若在晶圆上表面按压使晶圆与承片台贴合,存在晶圆上表面污染的问题,通常晶圆的上表面不可以触碰,所以只能通过吸附晶背来完成吸附动作,但是真空吸附又不能较牢固地将晶圆吸附于承片台,进而无法进行下一步的工艺动作。
3、因此,如何提供一种晶圆吸附装置,以实现大翘曲度晶圆的吸附,成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1
...【技术保护点】
1.一种晶圆吸附装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置,其特征在于:所述环状柔性凸台低于所述晶圆承载面的部分未填满所述环状凹槽以为所述环状柔性凸台提供形变空间。
3.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置,其特征在于:还包括真空抽气装置,所述真空抽气装置通过抽气管路与所述真空孔相连以在所述吸附区上方产生负压。
4.根据权利要求3所述的晶圆吸附装置,其特征在于:还包括N个真空传感器,其中,第i真空传感器设置于第i吸附区的抽气管路上以检测所述第i吸附区上方的真空度,i为整数,且1≤i≤N。
5.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置,其特征在于:所述环状柔性凸台低于所述晶圆承载面的部分未填满所述环状凹槽以为所述环状柔性凸台提供形变空间。
3.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置,其特征在于:还包括真空抽气装置,所述真空抽气装置通过抽气管路与所述真空孔相连以在所述吸附区上方产生负压。
4.根据权利要求3所述的晶圆吸附装置,其特征在于:还包括n个...
【专利技术属性】
技术研发人员:李宾,李艳,
申请(专利权)人:晶诺微上海科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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