一种衬垫和工艺组件制造技术

本申请提供一种衬垫，所述工艺腔室设置有排气口，所述排气口与泵体连接，所述衬垫包括：环形主体，所述环形主体包括第一通气区、第二通气区以及第三通气区，所述第一通气区被配置为远离所述排气口，且所述第一通气区设置有第一通气孔；所述第三通气区被配置为朝向所述排气口，且所述第三通气区设置有第三通气孔；所述第二通气区位于所述第一通气区与所述第三通气区之间，且所述第二通气区设置有第二通气孔；其中，所述第一通气孔的总横截面积占所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔总横截面积的35～45％。本申请还提供一种工艺组件。本申请提供的衬垫和工艺组件可以改善工艺过程中晶圆不同区域气体流速。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，特别涉及一种衬垫和工艺组件。

技术介绍

1、在半导体制备的工艺过程中，需要通过预处理(preclean)去除晶圆表面的氮化物或氧化物。siconi工艺是一种常见的干法预处理工艺，具体地，siconi工艺先将刻蚀剂进行等离子解离，生成等离子体，等离随后与晶圆表面的氮化物或氧化物发生化学反应生成络合物，该络合物再经高温分解成气态产物后被抽离出工艺腔室。

2、然而，由于在工艺过程中，与工艺腔室连通的泵体始终处于开启状态，工艺腔室在排出气态产物的同时也排出了部分等离子体，而由于晶圆靠近泵体的区域附近气体的流速大于晶圆远离泵体的区域附近气体的流速，使得等离子体在晶圆表面分布不均，远离泵体的晶圆表面分布的等离子数量多于靠近泵体的晶圆表面分布的等离子体的数量，进而导致晶圆表面被刻蚀的厚度不均，影响晶圆良率。

3、相似地，在一些需要对通过气相沉积的方式在晶圆表面沉积膜层时，由于反应气体在晶圆表面不同区域分布不均，也会使得沉积在晶圆表面的膜层厚度一致性差，影响晶圆良率。

4、因此，需要一种衬垫，可以改善工艺过程中晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬垫，用于调节从工艺腔室去除气体的速率和均匀性，其特征在于，所述工艺腔室设置有排气口，所述排气口与泵体连接，所述衬垫包括：

2.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第二通气孔的总横截面积占所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔总横截面积的35～40％。

3.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第三通气孔的总横截面积占所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔总横截面积的20～30％。

4.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔的大小相同，所述第一通气孔的数目≥所述第二通...

【技术特征摘要】

1.一种衬垫，用于调节从工艺腔室去除气体的速率和均匀性，其特征在于，所述工艺腔室设置有排气口，所述排气口与泵体连接，所述衬垫包括：

2.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第二通气孔的总横截面积占所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔总横截面积的35～40％。

3.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第三通气孔的总横截面积占所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔总横截面积的20～30％。

4.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通气孔的大小相同，所述第一通气孔的数目≥所述第二通气孔的数目>所述第三通气孔的数目。

5.根据权利要求1所述的衬垫，其特征在于，所述第一通气孔、所述第二通气孔以及所述第三通...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雅婧，梁小华，郝葆华，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：新型
国别省市：