【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种半导体技术，更具体地，涉及包括晶体管的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着电子工业的发展，电子产品逐渐向小型化、高性能化、高集成化方向发展。为了满足这些需求，需要开发能够维持和/或改进构成电子产品的单元元件(诸如晶体管)的特性，同时减少它们所占据的面积的技术。
技术实现思路
1、在本公开的实施例中，一种半导体器件可以包括：半导体图案；杂质区，设置在半导体图案的一侧并具有与半导体图案的下表面形成平坦表面的下表面；栅极结构，设置在半导体图案之下；以及接触插塞，设置在杂质区之上并电连接至杂质区。
2、在本公开的实施例中，提供了一种半导体器件，其包括半导体图案以及设置在半导体图案的一侧的杂质区，其中杂质区具有与半导体图案的底表面形成平坦表面的底表面。该半导体器件还包括设置在半导体图案之下的栅极结构。该栅极结构可以在横向方向上与半导体图案完全重叠。该半导体器件还可以包括设置在杂质区之上的接触插塞。该接触插塞可以电连接至杂质区。该半导体器件还可以包括设置在杂质...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述杂质区的上表面与所述半导体图案的上表面形成平坦表面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物层的侧壁与所述杂质区的侧壁对准，以及
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括栅电极和置于所述栅电极与所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述杂质区的上表面与所述半导体图案的上表面形成平坦表面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物层的侧壁与所述杂质区的侧壁对准，以及
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括栅电极和置于所述栅电极与所述半导体图案之间的栅极绝缘层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括栅电极以及置于所述栅电极与所述半导体图案之间并覆盖所述栅电极的侧壁的栅极绝缘层。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昇周，张度永，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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