温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及包括晶体管的半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体图案；杂质区，设置在半导体图案的一侧并具有与半导体图案的下表面形成平坦表面的下表面；栅极结构，设置于半导体图案之下；以及接触插塞，设置在杂...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。