System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 清洁装置及薄膜沉积机台腔室的清洁方法制造方法及图纸_技高网

清洁装置及薄膜沉积机台腔室的清洁方法制造方法及图纸

技术编号:45052003 阅读:7 留言:0更新日期:2025-04-22 17:36
本发明专利技术提供了一种清洁装置及薄膜沉积机台腔室的清洁方法。清洁装置包括:工艺腔室,工艺腔室内设有载台和离子生成器,载台用于放置吸附片,离子生成器用于向吸附片施加电荷;转运机构,用于将吸附片转移至薄膜沉积机台的至少一个腔室内吸附杂质颗粒;真空泵,与工艺腔室相连通,用于抽取工艺腔室内的气体,使工艺腔室内的气压达到预设压力。本发明专利技术在不使薄膜沉积机台停机的情况下,通过离子生成器使吸附片上携带静电电荷,转运机构将携带有静电电荷吸附片传送至薄膜沉积机台的任一腔室中,利用吸附片上的静电作用,吸附薄膜沉积机台的一腔室内的杂质颗粒,以清洁腔体,进而降低薄膜沉积时导致的异常,提高薄膜沉积机台的生产效率,节省人力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备,具体涉及一种清洁装置及薄膜沉积机台腔室的清洁方法


技术介绍

1、在半导体沉积机台加工晶圆时,晶圆会经过多个位置的移动,当沉积机台某个模块被污染时,晶圆在各个模块移动时会扩大污染面积,造成多个模块的污染。因此除了要降低在沉积时带来的颗粒污染增加风险,在沉积前的传输过程中也要寻求方法降低颗粒污染的可能性。颗粒污染会影响后续工艺的进行,如刻蚀、微影工艺中的阻塞或遮蔽效应,还会导致半导体元件的缺陷增加,从而影响产品良率和性能。

2、为降低沉积时带来的颗粒污染风险,目前通常会采用停机的方式对沉积机台的各模块进行定期清洁和保养。但这一动作通常将持续数十小时甚至数天,降低半导体器件的生产效率,降低半导体器件的产量。设备维护人员使用的清洁液通常涉及醇类、酮类、醚类等液体,这些清洁液具有对人体健康造成不良影响的风险。因此,需探寻一种免停机的清洁半导体机台的方法。


技术实现思路

1、针对现有技术中的问题,本专利技术的目的在于提供一种清洁装置及薄膜沉积机台腔室的清洁方法,清洁装置可在薄膜沉积机台不停机的情况下清洁其各腔室,提高清洁薄膜沉积机台的效率。

2、本专利技术实施例提供了一种清洁装置,用于清洁薄膜沉积机台的至少一个腔室,包括:

3、工艺腔室,所述工艺腔室内设有载台和离子生成器,所述载台用于放置吸附片,所述离子生成器用于向所述吸附片施加电荷;

4、转运机构,用于将所述吸附片转移至所述薄膜沉积机台的至少一个腔室内吸附杂质颗粒;

5、真空泵,与所述工艺腔室相连通,用于抽取所述工艺腔室内的气体,使所述工艺腔室内的气压达到预设压力。

6、在一些实施例中,还包括气体机构,与所述工艺腔室相连通,用以向所述工艺腔室内输送惰性气体。

7、在一些实施例中,所述转运机构包括机械臂,用以将所述吸附片转移至所述薄膜沉积机台的腔室内。

8、在一些实施例中,所述转运机构还包括滑块,所述机械臂设于所述滑块上,所述滑块带动所述机械臂沿第一方向移动。

9、在一些实施例中,所述吸附片为镀金属层硅片。

10、在一些实施例中,所述载台上设有气孔,所述气孔与真空发生器相连通。

11、在一些实施例中,所述惰性气体为氧气或氮气。

12、在一些实施例中,所述转运腔室内还设有活动板,用以隔离或连通所述转运腔室与所述薄膜沉积机台的腔室。

13、本专利技术实施例还提供了一种薄膜沉积机台腔室的清洁方法,利用如上所述的清洁装置清洁,包括步骤:

14、所述真空泵运行,所述离子生成器产生离子,使所述吸附片带有第一电荷的静电;

15、所述转运机构将所述吸附片从所述工艺腔室转移至所述薄膜沉积机台的一腔室中,以吸附所述腔室内的杂质颗粒;

16、所述转运机构转移所述吸附片,使其返回至所述工艺腔室中的载台;

17、所述离子生成器运行产生离子,使所述吸附片带有第二电荷的静电,以中和所述吸附片的第一电荷的静电。

18、在一些实施例中,所述清洁装置还包括气体机构,使所述吸附片带有第二电荷的静电之后,还包括步骤:

19、通过所述气体机构向所述工艺腔室内输送惰性气体,以吹扫所述吸附片的表面的杂质颗粒。

20、本专利技术所提供的清洁装置及薄膜沉积机台腔室的清洁方法具有如下优点:

21、本专利技术实施例所提供的清洁装置可在薄膜沉积机台不停机的情况下,通过使离子生成器使吸附片上携带静电电荷,转运机构将携带有静电电荷吸附片传送至薄膜沉积机台的任一腔室中,利用吸附片上的静电作用,吸附薄膜沉积机台的一腔室内的杂质颗粒,例如灰尘或膜层颗粒等,提高薄膜沉积机台的一腔室内的清洁度,进而降低薄膜沉积时导致的异常;并且还可以降低人工清洁薄膜沉积机台的次数,提高薄膜沉积机台的生产效率,节省人力。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种清洁装置,用于清洁薄膜沉积机台的至少一个腔室,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,还包括气体机构,与所述工艺腔室相连通,用以向所述工艺腔室内输送气体。

3.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,所述转运机构包括机械臂,用以将所述吸附片转移至所述薄膜沉积机台的一腔室内。

4.根据权利要求3所述的清洁装置,其特征在于,所述转运机构还包括滑块,所述机械臂设于所述滑块上,所述滑块带动所述机械臂沿第一方向移动。

5.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,所述吸附片为镀金属层硅片。

6.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,所述载台上设有气孔,所述气孔与真空发生器相连通。

7.根据权利要求2所述的清洁装置,其特征在于,所述气体为氧气或氮气。

8.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,所述转运腔室内还设有活动板,用以隔离或连通所述转运腔室与所述薄膜沉积机台的腔室。

9.一种薄膜沉积机台腔室的清洁方法,其特征在于,利用如权利要求1至8任一项所述的清洁装置清洁,包括步骤:

10.根据权利要求9所述的清洁方法,其特征在于,所述清洁装置还包括气体机构,使所述吸附片带有第二电荷的静电之后,还包括步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种清洁装置,用于清洁薄膜沉积机台的至少一个腔室,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,还包括气体机构,与所述工艺腔室相连通,用以向所述工艺腔室内输送气体。

3.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,所述转运机构包括机械臂,用以将所述吸附片转移至所述薄膜沉积机台的一腔室内。

4.根据权利要求3所述的清洁装置,其特征在于,所述转运机构还包括滑块,所述机械臂设于所述滑块上,所述滑块带动所述机械臂沿第一方向移动。

5.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于,所述吸附片为镀金属层硅片。

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【专利技术属性】
技术研发人员:罗屹民闫晓晖陈妍
申请(专利权)人:上海积塔半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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