一种基于固化硫调控的二维扭角MoS2及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于固化硫调控的二维扭角MoS<subgt;2</subgt;及其制备方法，该方法采用化学气相沉积法，通过精确调控硫源的固化次数，成功制备出多层扭角MoS<subgt;2</subgt;材料。工艺简便、成本低廉，所制备的多层扭角MoS<subgt;2</subgt;具有均匀平整的表面，无二次成核点，材料质量高。这一方法对于实现扭角TMDCs的可控制备和大规模生产具有重要意义，并为二维扭角材料在光电器件中的应用奠定了坚实的基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料领域，涉及一种基于固化硫调控的二维扭角mos2及其制备方法。

技术介绍

1、在二维材料中，mos2凭借其均匀的表面结构、无悬挂键、强烈的自旋轨道耦合作用以及独特的谷自由度，在光电、催化和电子器件等领域展现出巨大的应用潜力。近年来，随着对二维材料研究的不断深入，发现这些材料在以不同旋转角度堆叠时，展现出比单层和非扭转多层二维材料更为丰富和复杂的物理性质。这些独特特性使得二维材料在电子器件、光电子器件、自旋电子学以及能源转换与存储等领域具有极其广阔的应用前景。目前，二维扭角mos2的制备技术主要分自顶向下和自底向上两种策略，相较于自顶向下法，以化学气相沉积(cvd)法为代表的自底向上策略以其独特的魅力和潜力脱颖而出。首先，cvd允许直接在基材上一步生长出期望的扭角结构，减少了后续处理步骤可能导致的污染与界面缺陷，有利于实现大面积、连续且高度均匀的薄膜制备，这对于高性能电子与光电器件的开发至关重要。其次，通过精细调节反应条件(如控制成核速率、提高反应温度、引入气流扰动和异位成核等)，可以在一定程度上调控材料的生长速度、晶体取向乃至最终的扭角本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于固化硫调控的二维扭角MoS2的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于固化硫调控的二维扭角MoS2的制备方法，其特征在于，硫粉伸入炉膛的距离为1.8～2.0cm。

3.根据权利要求1或2所述的基于固化硫调控的二维扭角MoS2的制备方法，其特征在于，所述的钼源为三氧化钼粉末和NaCl颗粒的混合物，三氧化钼粉末用量为1～2mg，NaCl颗粒的添加量为0.5～1mg。

4.根据权利要求1或2所述的基于固化硫调控的二维扭角MoS2的制备方法，其特征在于，所述的钼源和硫粉相距7～12cm。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种基于固化硫调控的二维扭角mos2的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于固化硫调控的二维扭角mos2的制备方法，其特征在于，硫粉伸入炉膛的距离为1.8～2.0cm。

3.根据权利要求1或2所述的基于固化硫调控的二维扭角mos2的制备方法，其特征在于，所述的钼源为三氧化钼粉末和nacl颗粒的混合物，三氧化钼粉末用量为1～2mg，nacl颗粒的添加量为0.5～1mg。

4.根据权利要求1或2所述的基于固化硫调控的二维扭角mos2的制备方法，其特征在于，所述的钼源和硫粉相距7～12cm。

5.根据权利要求1或2所述的基于固化硫调控的二维扭角mos2的制备方法，其特征在于，所述的sio2/si衬底与钼源相距1cm。

6.根据权利要求1或2所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：许曼章，郭梦璇，买书航，郑璐，李伟伟，陈梓越，王学文，黄维，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：