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本发明公开了一种基于固化硫调控的二维扭角MoS<subgt;2</subgt;及其制备方法，该方法采用化学气相沉积法，通过精确调控硫源的固化次数，成功制备出多层扭角MoS<subgt;2</subgt;材料。工艺简便...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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