本发明专利技术涉及一种LPCVD炉管预处理方法和太阳能电池生产方法，所述预处理方法将饱和炉管分为了两次，对应的吹扫炉管也分为两次，即第一次饱和‑第一次氮气吹扫‑第二次饱和‑第二次氮气吹扫。此过程中，第一次饱和后未分解的硅烷多，第一次氮气吹扫则能够去除大部分的残留硅烷；第二次氮气吹扫前使用了焖氧工艺，进一步把炉管内残留的杂质反应掉，再通过第二次氮气吹扫彻底把炉管内杂质清理出去。当利用本发明专利技术所公开方法处理后的炉管进行生产时，能够有效避免首舟气流印风险，进而提高TOPCon电池的良品率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种lpcvd炉管预处理方法和太阳能电池生产方法。
技术介绍
1、在晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。topcon太阳能电池一个最大的优势在于背面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层构成了隧穿氧化层钝化接触结构(p-poly结构)，可以显著降低金属接触区域的复合，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升太阳能电池的效率。
2、目前，topcon电池核心工序之一是lpcvd(低压热化学气象沉积)工序。其具体方法是通过载具将硅片送入lpcvd的炉管内，再通入硅烷，在硅片表面沉积一层非晶硅。但是在利用新的炉管进行非晶硅沉积的过程中，会通过向炉管内通入大量硅烷的方式实现炉管饱和，以为后续的非晶硅沉积提供一个稳定的环境。
3、但是，饱和炉管的硅烷来不及分解或者没有分解完全，就会沉积在炉管内。当利用出现这种情况的炉管进行生产时，就会发生首舟气流印风险，进而影响topcon电池的质量，使得topcon电池良品率降低。
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【技术保护点】
1.一种LPCVD炉管预处理方法，包括：提供设置有新进气管的LPCVD设备炉管，将空桨打进所述炉管，并对所述炉管进行检漏和饱和吹扫，其特征在于，所述饱和吹扫过程，包括：
2.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第二次饱和的时间小于第一次饱和的时间。
3.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第二次氮气吹扫的压力和氮气流量大于第一次氮气吹扫的压力和氮气流量。
4.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第一次饱和的饱和时间2000s-2500s，所述炉管中部硅烷流量200sccm-400sccm，所述炉管尾部硅烷流量600sccm...
【技术特征摘要】
1.一种lpcvd炉管预处理方法，包括：提供设置有新进气管的lpcvd设备炉管，将空桨打进所述炉管，并对所述炉管进行检漏和饱和吹扫，其特征在于，所述饱和吹扫过程，包括：
2.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第二次饱和的时间小于第一次饱和的时间。
3.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第二次氮气吹扫的压力和氮气流量大于第一次氮气吹扫的压力和氮气流量。
4.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第一次饱和的饱和时间2000s-2500s，所述炉管中部硅烷流量200sccm-400sccm，所述炉管尾部硅烷流量600sccm-800sccm。
5.根据权利要求1所述预处理方法，其特征在于，所述第一次氮气吹扫的吹扫时间1000s-1800s，管内压强100mtorr-300mtorr，所述炉管中部氮气流量1000sccm-1200sccm，所述炉管尾部氮气流量1000sccm-...
【专利技术属性】
技术研发人员：张金泽，罗国英，王邦象，潘玉臻，徐方振，
申请(专利权)人：四川东磁新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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