提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高AMAT‑CMP机台洗净能力的方法，所属硅片加工设备技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用硅基清复合洗剂，在硅基清复合洗剂内添加螯合剂和表面活性剂。第二步：DHF浓度调整为0.2%～0.5%，并适当提高清洗温度至30℃～40℃，以增强其对氧化物的刻蚀速率，同时保持对晶圆的低损伤性。第三步：通过微调SC1中氨水与过氧化氢的比例，以及将温度控制在45℃～55℃。第四步：在清洗剂作用后，使用DIW彻底冲洗晶圆表面是确保无残留。具有操作便捷、运行稳定性好和效果佳的优点。降低了晶圆因清洗不当导致的缺陷率，提高了整体生产效率和产品良率，为半导体制造业提供了更为高效、可靠的清洗解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工设备，具体涉及一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，cmp是关键的平坦化技术，用于去除晶圆表面多余的材料层并实现全局平坦化。然而，cmp过程后，晶圆表面常残留有抛光液、磨粒、金属离子等污染物，这些残留物会严重影响后续工艺步骤及最终产品的性能。

2、因此，有效的清洗步骤对于保证晶圆质量至关重要。目前，amat-cmp机台普遍采用包括silapur（硅基清洗剂）、dhf（稀释氢氟酸）、sc1（标准清洗液1，主要由氨水、过氧化氢和水组成）等多种清洗剂进行清洗，但现有清洗方案在洗净效率和效果上仍有提升空间。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其具有操作便捷、运行稳定性好和效果佳的优点。降低了晶圆因清洗不当导致的缺陷率，提高了整体生产效率和产品良率，为半导体制造业提供了更为高效、可靠的清洗解决方案。

2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂能更有效地与金属离子结合，同时增强对有机物的溶解能力，确定硅基清复合洗剂浓度为0.5%～1.0%，既能保证清洗效率，又能避免过度清洗导致的晶圆损伤。

3.根据权利要求2所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂清洗时，开启超声，超声频率为33～45KHZ。

4.根据权利要求1所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：通过增加DIW冲洗时间至少...

【技术特征摘要】

1.一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂能更有效地与金属离子结合，同时增强对有机物的溶解能力，确定硅基清复合洗剂浓度为0.5%～1.0%，既能保证清洗效率，又能避免过度清洗导致的晶圆损伤。

3.根据权利要求2所述的提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂清洗时，开启超声，超声频率为33～45khz。

4.根据权利要求1所述的提高amat-cmp...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜翠兰，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：