【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工设备，具体涉及一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，cmp是关键的平坦化技术，用于去除晶圆表面多余的材料层并实现全局平坦化。然而，cmp过程后，晶圆表面常残留有抛光液、磨粒、金属离子等污染物，这些残留物会严重影响后续工艺步骤及最终产品的性能。
2、因此，有效的清洗步骤对于保证晶圆质量至关重要。目前，amat-cmp机台普遍采用包括silapur（硅基清洗剂）、dhf（稀释氢氟酸）、sc1（标准清洗液1，主要由氨水、过氧化氢和水组成）等多种清洗剂进行清洗，但现有清洗方案在洗净效率和效果上仍有提升空间。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其具有操作便捷、运行稳定性好和效果佳的优点。降低了晶圆因清洗不当导致的缺陷率，提高了整体生产效率和产品良率，为半导体制造业提供了更为高效、可靠的清洗解决方案。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：采用硅基清复合洗剂，在硅基清复合洗剂内添加螯合剂和表面活性剂。
5、第二步：dhf浓度调整为0.2%～0.5%，并适当提高清洗温度至30℃～40℃，以增强其对氧化物的刻蚀速率，同时保持对晶圆的低损伤性。
6、第三步：通过微调sc1中氨水与过氧化氢的
7、第四步：在清洗剂作用后，使用diw彻底冲洗晶圆表面是确保无残留。
8、作为优选，硅基清复合洗剂能更有效地与金属离子结合，同时增强对有机物的溶解能力，确定硅基清复合洗剂浓度为0.5%～1.0%，既能保证清洗效率，又能避免过度清洗导致的晶圆损伤。
9、作为优选，硅基清复合洗剂清洗时，开启超声，超声频率为33～45khz。
10、作为优选，通过增加diw冲洗时间至少30秒，并采用高压喷淋技术，确保每个晶圆表面都能得到充分的冲洗，有效去除所有残留的清洗剂和污染物，保证晶圆表面的高洁净度。
11、作为优选，表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂，有机醇选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇中的至少一种。
12、作为优选，螯合剂为多磷酸盐、氨基羧酸、1,3-二酮，羟基羧酸、多胺中的至少一种。
13、本专利技术能够达到如下效果：
14、本专利技术提供了一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法，与现有技术相比较，具有操作便捷、运行稳定性好和效果佳的优点。降低了晶圆因清洗不当导致的缺陷率，提高了整体生产效率和产品良率，为半导体制造业提供了更为高效、可靠的清洗解决方案。晶圆表面污染物残留量降低至原有水平的50%以下，特别是金属离子和有机污染物的去除效率提高了30%以上。
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1.一种提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂能更有效地与金属离子结合，同时增强对有机物的溶解能力，确定硅基清复合洗剂浓度为0.5%～1.0%，既能保证清洗效率，又能避免过度清洗导致的晶圆损伤。
3.根据权利要求2所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂清洗时，开启超声，超声频率为33～45KHZ。
4.根据权利要求1所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：通过增加DIW冲洗时间至少30秒，并采用高压喷淋技术，确保每个晶圆表面都能得到充分的冲洗，有效去除所有残留的清洗剂和污染物，保证晶圆表面的高洁净度。
5.根据权利要求1所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特征在于：表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂，有机醇选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的提高AMAT-CMP机台洗净能力的方法，其特
...【技术特征摘要】
1.一种提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂能更有效地与金属离子结合，同时增强对有机物的溶解能力，确定硅基清复合洗剂浓度为0.5%～1.0%，既能保证清洗效率，又能避免过度清洗导致的晶圆损伤。
3.根据权利要求2所述的提高amat-cmp机台洗净能力的方法，其特征在于：硅基清复合洗剂清洗时，开启超声，超声频率为33～45khz。
4.根据权利要求1所述的提高amat-cmp...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜翠兰，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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