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本发明涉及一种提高AMAT‑CMP机台洗净能力的方法，所属硅片加工设备技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用硅基清复合洗剂，在硅基清复合洗剂内添加螯合剂和表面活性剂。第二步：DHF浓度调整为0.2%～0.5%，并适当提高清洗温度至30℃～...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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