【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固体摄像装置和电子设备。
技术介绍
1、在包括例如诸如数码相机和数码摄像机等摄像单元和具有摄像功能的移动终端单元在内的电子设备中，固体摄像装置得到应用。固体摄像装置的示例包括cmos（complementary mos：互补mos）图像传感器，该cmos图像传感器经由mos（metal oxidesemiconductor：金属氧化物半导体）晶体管读取累积在用作光电转换元件的光电二极管中的电荷（例如，参照专利文献1）。
2、在具有全局快门功能的cmos图像传感器中，在各像素中设置有电荷累积部。由于前一帧的信号被保持在电荷累积部中，因此有必要设置为电荷累积部遮光的结构，以防止下一帧的信号进入电荷累积部。然而，通过简单地设置这种结构，难以充分防止光泄漏到电荷累积部中。鉴于这种情况，例如，可以考虑将专利文献1和2中记载的方法作为应对该问题的对策。
3、引用列表
4、专利文献
5、专利文献1：日本未审查专利申请第2013-150232号公报
6、专利文献2：日本未审查专利...
【技术保护点】
1.一种摄像元件，其包括：
2.根据权利要求1所述的摄像元件，其还包括：
3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
6.根据权利要求3所述的摄像元件，其中，
7.根据权利要求3所述的摄像元件，其还包括：
8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
9.根据权利要求2所述的摄像元件，其中，
10.根据权利要求2所述的摄像元件，其中，在所述平面图中，所述放大晶体管的栅极和所述第三晶体管...
【技术特征摘要】
1.一种摄像元件，其包括：
2.根据权利要求1所述的摄像元件，其还包括：
3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
6.根据权利要求3所述的摄像元件，其中，
7.根据权利要求3所述的摄像元件，其还包括：
8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，
9.根据权利要求2所述的摄像元件，其中，
10.根据权利要求2所述的摄像元件，其中，在所述平面图...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田辽人，高塚挙文，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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