【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、环栅晶体管相对于平面晶体管和鳍式场效应晶体管具有较高的栅控能力等优势，因此半导体器件中的不同晶体管的器件类型均为环栅晶体管时，利于提高半导体器件的工作性能。
2、但是，采用现有的制造方法所形成的环栅晶体管的良率较低，且环栅晶体管的工作性能不佳。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，用于提高环栅晶体管的良率和工作性能。
2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基底，以及设置在半导体基底上的第一晶体管。第一晶体管的沟道区包括材料不同的第一纳米结构和第二纳米结构，第一纳米结构和第二纳米结构沿半导体基底的厚度方向交替分布，且第一晶体管的沟道区中位于底层的结构为第一纳米结构。第一晶体管中的每层第一纳米结构和每层第二纳米结构均分别与源区和漏区接触。沿第一晶体管的栅堆叠结构的长度方向，第一纳米结构的宽度小于第二纳米结构的宽度，...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底，以及设置在所述半导体基底上的第一晶体管；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道区中位于底层的第一纳米结构与所述半导体基底间隔设置的情况下，位于底层的所述第一纳米结构与所述半导体基底的间距，大于等于所述第二纳米结构的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道区中位于底层的第一纳米结构与所述半导体基底直接接触的情况下，位于底层的所述第一纳米结构的材料与其余所述第一纳米结构的材料不同；
4.根据权利要求1所述的半导体器件...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底，以及设置在所述半导体基底上的第一晶体管；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道区中位于底层的第一纳米结构与所述半导体基底间隔设置的情况下，位于底层的所述第一纳米结构与所述半导体基底的间距，大于等于所述第二纳米结构的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一晶体管的沟道区中位于底层的第一纳米结构与所述半导体基底直接接触的情况下，位于底层的所述第一纳米结构的材料与其余所述第一纳米结构的材料不同；
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一层所述第二纳米结构的宽度大于沿所述半导体基底的厚度方向位于自身上层的所述第二纳米结构的宽度，所述第二纳米结构的宽度方向平行于所述第一晶体管包括的栅堆叠结构的长度方向；
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一纳米结构的材料包括si1-xgex，所述第二纳米结构的材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永亮，刘昊炎，孙龙雨，王晓磊，罗军，
申请(专利权)人：北京知识产权运营管理有限公司，
类型：发明
国别省市：
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