【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体提供一种氮化镓功率器件及其制备方法。
技术介绍
1、本部分的描述仅提供与本申请公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
2、图1和图2示出了氮化镓功率器件的结构示意图。现有技术中的氮化镓功率器件从下到上依次包括：衬底11(如silicon)、形成在衬底11上的缓冲层12、形成在缓冲层12上的沟道层13(例如，低碳gan)、形成在沟道层13上的势垒层14(例如，algan或alingan)、形成在势垒层14上的栅极结构20、以及位于栅极结构20两侧并且连接到势垒层14与沟道层13界面的两个欧姆接触，这两个欧姆接触分别用于形成源电极31和漏电极41。其中，图1的方式中，栅极结构20包括栅电极21和栅介质层22,栅电极21形成在栅介质层22上；图2的方式中，栅极结构20包括栅电极21、栅介质层22和栅极场板23，栅极场板23包括场板金属231和形成栅电极21和栅介质层22上的场板介质232。
3、图2中的现有器件制备工艺大概包括以下步骤：
4、图3中epi growth：在衬底1...
【技术保护点】
1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，所述氮化镓功率器件包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极，所述过渡层形成在所述栅介质层和所述栅电极上，
3.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、栅电极和形成在所述栅电极和所述栅介质层上的栅极场板，所述过渡层形成在所述栅极场板上，
4.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述过渡层由氮化铝、氧化铝、氮氧化硅、氮化硼、云母中的一种或多种构成。
5.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，所述氮化镓功率器件包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极，所述过渡层形成在所述栅介质层和所述栅电极上，
3.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、栅电极和形成在所述栅电极和所述栅介质层上的栅极场板，所述过渡层形成在所述栅极场板上，
4.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述过渡层由氮化铝、氧化铝、氮氧化硅、氮化硼、云母中的一种或多种构成。
5.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述层间介质层通过si-cmos工艺进行沉积。
6.根据权利要求1所述的氮化镓功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，
申请(专利权)人：深圳镓楠半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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