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本发明提供一种氮化镓功率器件及其制备方法。氮化镓功率器件包括：异质结；栅极结构，栅极结构形成在异质结上；过渡层，过渡层形成在栅极结构上；和层间介质层，层间介质层形成在过渡层上；其中，栅极结构包括与过渡层相邻的第一介质层，第一介质层由氮化硅构...
该专利属于深圳镓楠半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳镓楠半导体科技有限公司授权不得商用。

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