本申请公开一种太阳能电池的制造方法，其重点在于，在第一表面依次形成层叠的第一金属层和第二金属层后，利用激光扫描隔离区域，对位于隔离区域的第二金属层改性，利用腐蚀液对激光扫描处理后的中间基板进行清洗，腐蚀液刻蚀去除改性后的第二金属层及其下方的第一金属层，剩余的电极区域内的第一金属层和第二金属层形成电极结构；第二金属层对腐蚀液的耐蚀性大于第一金属层对腐蚀液的耐蚀性。该方法与印刷形成电极结构相比，不必反复清洗网版，简化了工序；与电镀形成电极结构相比，降低了形成电极结构的设备成本。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池的制造方法。
技术介绍
1、目前太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。其中，光伏太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的，太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
2、但是，现有的太阳能电池加工制造过程中，一般采用丝网印刷工艺制造太阳能电池的电极结构，采用丝网印刷工艺会在每个电极结构的边缘存在许多离散分布的导电残料，这些导电残料未与电极接触因此其不但没有载流子导出功能，还会遮挡光线，影响载流子的收集。此外，采用丝网印刷方式或电镀方式形成电极，其电极的主要原料为银，导致电极结构的成本较高。并且，丝网印刷工艺采用的印刷网版需要清洗才可以重复使用，工序复杂；电镀设备成本较高，导致制作电极的成本较高。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种太阳能电池的制造方法，以降低电极结构的制造成本的同时，提高光的利用率。
2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
>3、一种太阳能电池本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述利用激光扫描所述隔离区域，对位于所述隔离区域的所述第二金属层改性，包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述中间基板的所述隔离区域的粗糙度大于所述中间基板的所述电极区域的粗糙度；
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述中间基板的所述隔离区域为绒面结构，所述中间基板的所述电极区域为抛光面结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述提供一中间基板之后，所述在...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述利用激光扫描所述隔离区域，对位于所述隔离区域的所述第二金属层改性，包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述中间基板的所述隔离区域的粗糙度大于所述中间基板的所述电极区域的粗糙度；
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述中间基板的所述隔离区域为绒面结构，所述中间基板的所述电极区域为抛光面结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述提供一中间基板之后，所述在所述第一表面依次形成层叠的第一金属层和第二金属层之前，所述太阳能电池的制造方法还包括：
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述腐蚀液刻蚀去除位于所述隔离区域的第二金属层及其下方的第一金属层和透明导电层，剩余的电极区域内的透明导电层形成透明导电图案；其中，所述透明导电图案的宽度等于所述第一金属层的宽度；
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述提供一中间基板之后，所述在所述第一表面依次形成层叠的第一金属层和第二金属层之前，所述太阳能电池的制造方法还包括：
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述提供一中间基板之后，所述在所述第一表面依次形成层叠的第一金属层和第二金属层之前，该太阳能电池的制造方法还包括：
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述电极结构在所述开孔处凹陷；和/或，所述电极结构在所述开孔处的粗糙度大于所述电极结构在其它位置处的粗糙度；和/或，在所述开孔处，所述第一金属层包括孔洞。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第一表面依次形成层叠的第一金属层和第二金属层之后，利用激光扫描所述隔离区域之前，所述太阳能电池的制造方法还包括：在所述第二金属层背离所述中间基板的一侧形成保护层；
11.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第一表面依次形成层叠的第一金属层和第二金属层之后，利用激光扫描所述隔离区域之前，所述太阳能电池的制造方法还包括：在所述第二金属层背离所述中间基板的一侧形成保护层，并去除位于所述隔离区域的保护层。
12.根据权利要求10或11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述保护层的材质包括聚偏二氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚醚醚酮、聚四氟乙烯中的至少一种，所述保护层的厚度为10nm～500nm；或，
13.根据权利要求10或11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述腐蚀液包括缓蚀剂，所述缓蚀剂用于填补所述保护层的缺陷，以提高所述保护层致密性。
14.根据权利要求10或11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述利用腐蚀液对激光扫描处理后的所述中间基板进行清洗之后，所述制造方法还包括：
15.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述中间基板包括半导体基底和第一掺杂半导体层，所述半导体基...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永安，程臻君，程彦江，王志强，何甜，高搏，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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