半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体结构及其形成方法。一种示例性方法包括在第一导电部件上方形成第一介电层，形成延伸穿过第一介电层且连接至第一导电部件的导电通孔，在导电通孔上方形成硬掩模层，对硬掩模进行图案化以形成暴露第一介电层的第一开口；形成牺牲层以部分填充第一开口，在牺牲层上形成多孔介电层，在形成多孔介电层后，选择性地去除牺牲层以形成气隙，在多孔介电层上方形成第二介电层，并且用第二导电部件替换图案化硬掩模层的直接设置在导电通孔上方的部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、电子行业对更小、更快的电子器件的需求日益增长，这些器件能够同时支持更多越来越复杂和复杂的功能。因此，半导体行业有制造低成本、高性能和低功耗集成电路(ic)的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体ic尺寸(例如最小特征尺寸)来实现的，从而提高了生产效率并降低了相关成本。然而，这种缩放也增加了半导体制造工艺的复杂性。因此，实现半导体ic和器件的持续进步需要半导体制造工艺和技术的类似进步。

2、随着器件尺寸的不断缩小，后段制程(beol)互连结构的性能受到更高的要求。在一些示例中，当两个相邻导电部件之间的距离减小以满足较小技术节点的设计要求时，高寄生电容可能会导致较低的器件速度(例如rc延迟)。低介电常数(低k)材料已被纳入互连结构以降低电容。虽然低k材料的目的是降低电容，但它们的导热性不佳，给前段制程(feol)器件的散热带来了挑战。

技术实现思路

1、本专利技术的一实施例提供了一种形成半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层包括低介电常数材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一开口穿透到所述第一介电层中。

5.一种形成半导体结构的方法，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述覆盖结构包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述介电填充层包括金刚石或氮化铝。

8.一种半导体结构，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第二介电层包括金刚石或氮化铝...

【技术特征摘要】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层包括低介电常数材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一开口穿透到所述第一介电层中。

5.一种形成半导体结构的方法，包括：

6.根据权利要求5所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李劭宽，罗廷亚，黄心岩，李佳蓁，张孝慷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：