一种PECVD镀膜系统及镀膜工艺技术方案

本申请提出了一种PECVD镀膜系统，包括第一沉积腔，用于放置装载有硅片的石墨舟；石墨舟包括沿着第一方向依次排列设置的多个舟片，舟片的表面与第二方向平行，硅片沿第二方向依次装载于相邻舟片之间；第一方向和第二方向相交；第一沉积腔还设置有进气件、加热件及电极；其中，工艺特气经进气件沿第二方向吹向石墨舟内装载的硅片；加热件设置于进气件和石墨舟之间，用于对吹向硅片的工艺特气提供热量；电极与石墨舟电连接，对工艺特气进行电解离，以产生等离子体。本申请提供了一种PECVD镀膜系统及PECVD镀膜工艺，以解决现有镀膜方式的镀膜质量和均匀性较低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏生产，特别是涉及一种pecvd镀膜系统及镀膜工艺。

技术介绍

1、在太阳能电池制备领域，为了提高光伏电池的光电转换效率和外观质量，通常需要在硅片表面沉积功能膜层，例如钝化膜、减反射膜等。

2、其中，功能膜层可以通过等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition，pecvd)设备等沉积形成。

3、但是，现有pecvd镀膜设备一般为管式pecvd或板式pecvd，镀膜质量有待进一步提高。

技术实现思路

1、本申请所要解决的技术问题是提供一种pecvd镀膜系统及pecvd镀膜工艺，以解决现有镀膜方式的镀膜质量问题。

2、为了解决上述问题，本申请是通过如下技术方案实现的：

3、本申请提出了一种pecvd镀膜系统，包括第一沉积腔，用于放置装载硅片的石墨舟；所述石墨舟包括沿着第一方向间隔排列设置的多个舟片，所述舟片的表面与第二方向平行，每个舟片上的所述硅片沿第三方向排列；所述第一方向和第二方向相交；所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PECVD镀膜系统，其特征在于，包括第一沉积腔，用于放置装载硅片的石墨舟；所述石墨舟包括沿着第一方向间隔排列设置的多个舟片，所述舟片的表面与第二方向平行，每个舟片上的所述硅片沿第三方向排列；所述第一方向和第二方向相交；所述第三方向与所述舟片的表面平行，且与所述第二方向垂直；

2.根据权利要求1所述的PECVD镀膜系统，其特征在于，所述第一沉积腔的长度方向与第三方向平行，所述第一沉积腔的高度方向与第二方向平行，所述进气件将工艺特气由所述第一沉积腔的顶部吹向石墨舟内装载的硅片；

3.根据权利要求1所述的PECVD镀膜系统，其特征在于，所述第一沉积腔的宽度方向与...

【技术特征摘要】

1.一种pecvd镀膜系统，其特征在于，包括第一沉积腔，用于放置装载硅片的石墨舟；所述石墨舟包括沿着第一方向间隔排列设置的多个舟片，所述舟片的表面与第二方向平行，每个舟片上的所述硅片沿第三方向排列；所述第一方向和第二方向相交；所述第三方向与所述舟片的表面平行，且与所述第二方向垂直；

2.根据权利要求1所述的pecvd镀膜系统，其特征在于，所述第一沉积腔的长度方向与第三方向平行，所述第一沉积腔的高度方向与第二方向平行，所述进气件将工艺特气由所述第一沉积腔的顶部吹向石墨舟内装载的硅片；

3.根据权利要求1所述的pecvd镀膜系统，其特征在于，所述第一沉积腔的宽度方向与所述第一方向平行，沿着第一沉积腔的宽度方向可依次放置多个石墨舟。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的pecvd镀膜系统，其特征在于，所述第一沉积腔具有供石墨舟进入的进料口、以及供石墨舟出去的出料口，所述进料口到出料口的方向与所述第一沉积腔的长度方向平行。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的pecvd镀膜系统，其特征在于，所述pecvd镀膜系统还包括第一预热腔和第一冷却腔，所述第一预热腔、第一沉积腔和第一冷却腔依次连接；

6.根据权利要求5所述的pecvd镀膜系统，其特征在于，还包括翻面机构，所述翻面机构用于将经所述第一沉积腔进行镀膜后的所述硅片进行翻面并置于所述石墨舟内。

7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭梦龙，马娜，马雄锋，朱广东，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：