防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法，首先在具有第一金属层的目标晶圆上制作多层膜结构，然后利用一体化刻蚀工艺在多层膜结构制作露出第一金属层的槽口；刻蚀完成后，在除电工序中通入CO/N<subgt;2</subgt;组合气体作为等离子气体，在槽口表面沉积稳定的隔离保护层，以隔离刻蚀过程中在槽口产生的残留聚合物；除电完成后，将晶圆顶起转移至晶圆盒中；将晶圆盒中晶圆转移至湿法清洗工艺，清洗沉积金属层；采用CMP工艺去掉多余的金属层和多层膜结构，完成金属互联结构的制作；本发明专利技术通过改进除电工序防止一体化刻蚀工艺中产生缺陷，取得了意想不到的效果，使得中转时晶圆盒中无需高纯氮气保护，并且极限等待时间大幅度延长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，涉及一种一体化刻蚀工艺，具体涉及一种防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法。

技术介绍

1、一体化（all in one，aio）刻蚀工艺是一种沟槽（trench）和通孔（via）同步蚀刻的方法，也称为金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀。当硬质掩膜(hard mask) 被打开后，定义出沟槽图案，接着再曝光、显影定义出通孔的图案，最后进行沟槽（trench）和通孔（via）同时蚀刻，一步制程同时完成沟槽（trench）和通孔（via）的图案；蚀刻完成后，通过除电工序（dechuck）解除静电卡盘对晶圆（wafer ）的夹持，之后将晶圆（wafer）转移至前开式晶圆传送盒（front opening unified pod，foup）中，晶圆在晶圆传送盒内需要等待一定时间后进入湿法清洗工序（wet），通过湿法清洗工序清洗后经过电化学镀铜工艺（cu ecp）在通孔和沟槽内生长一定厚度的cu层，最后经过化学机械抛光工艺（cmp）去磨掉不需要的cu及金属硬质掩模，得到金属互联结构。

2、一体化刻蚀完成后，由于蚀刻工艺问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述除电工序包括如下三个阶段：

3.根据权利要求2所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，第一阶段中，第一压力为100mT-400mT，达到第一压力后维持时间为4-20s，维持压力过程中，持续通入CO/N2组合气体进行吹扫和置换。

4.根据权利要求2所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，第二阶段中，维持第一阶段压力，射频能量设定为100-400W，第二阶段维持时间2-8s，并且保持等离子气体的持续...

【技术特征摘要】

1.一种防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，所述除电工序包括如下三个阶段：

3.根据权利要求2所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，第一阶段中，第一压力为100mt-400mt，达到第一压力后维持时间为4-20s，维持压力过程中，持续通入co/n2组合气体进行吹扫和置换。

4.根据权利要求2所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，第二阶段中，维持第一阶段压力，射频能量设定为100-400w，第二阶段维持时间2-8s，并且保持等离子气体的持续存在。

5.根据权利要求2所述的防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓玉，张晓亮，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：