晶圆翘曲度的检测装置、加工设备、方法及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了晶圆翘曲度的检测装置、加工设备、方法及存储介质。检测装置包括：单色光源用于提供检测光束。至少三个半反半透镜用于获取检测光束，并将其反射到对应的反光镜，再将检测光束传输到对应的光纤和下一个半反半透镜。至少三个反光镜分别用于检测光束，以形成参考光束，并将其传输到对应的探测器。至少三根光纤分别用于将检测光束传输到至少三个检测窗口，经由各检测窗口照射待测晶圆的对应被测点，以反射形成物体光束，并将其传输到对应的探测器。至少三个探测器分别用于采集参考光束及物体光束。处理器连接各探测器，用于根据干涉条纹图像中的条纹数量，确定待测晶圆的各对应被测点到晶圆托盘表面的距离，并据此确定晶圆的翘曲度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的加工领域，尤其涉及一种晶圆翘曲度的检测装置、一种半导体器件的加工设备、一种半导体器件的加工方法，以及一种计算机可读存储介质。

技术介绍

1、在半导体器件的加工过程中，晶圆与晶圆托盘之间的间隙是重要参数，其精确控制对确保加工精度和质量至关重要。然而，由于晶圆与晶圆托盘之间的间隙难以直接检测，传统的监控方法常通过间接的手段对其检测。一种常见的检测手段是利用电子基板夹持器(esc，electronic substrate clamp)检测电流的变化，从而间接判断晶圆是否稳固。但这种检测方法也存在一定的局限性，尤其是在电子基板夹持器未能成功吸附晶圆、晶圆形变(wafer bow)较大，或存在引脚(pin)卡顿等异常情况下，电流信号可能无法准确反映真实的晶圆状态。此外，另一种检测手段为通过测量加热盘的输出功率，来推测晶圆的温度变化，从而间接判断晶圆的状态。然而，由于热传导依赖于多种因素，例如晶圆与加热盘之间的接触状态、热传导效率等，这使得这种检测方式在复杂工况下的准确性容易受到影响，其检测精度不高。

2、为了克服现有技术存在的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆翘曲度的检测装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述根据各所述探测器生成的干涉条纹图像中的条纹数量，确定所述待测晶圆的各对应被测点到所述晶圆托盘表面的距离的步骤包括：

3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，确定所述晶圆的翘曲度的步骤包括：

4.如权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述根据位于所述待测晶圆的第一被测点、第二被测点及第三被测点，以及至少一个参考点的立体坐标，确定所述待测晶圆的翘曲度的步骤包括：

5.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测窗口中包括：

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆翘曲度的检测装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述根据各所述探测器生成的干涉条纹图像中的条纹数量，确定所述待测晶圆的各对应被测点到所述晶圆托盘表面的距离的步骤包括：

3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，确定所述晶圆的翘曲度的步骤包括：

4.如权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述根据位于所述待测晶圆的第一被测点、第二被测点及第三被测点，以及至少一个参考点的立体坐标，确定所述待测晶圆的翘曲度的步骤包括：

5.如权利要求1所述的检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭东，石劼霖，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：