一种芯片封装结构及芯片封装方法技术

本申请提供了一种芯片封装结构及芯片封装方法，应用于芯片封装领域。芯片封装结构包括：铜框架、裸芯片、有机密封剂层、以及塑封层。其中，裸芯片位于铜框架和塑封层之间。裸芯片的正面包括焊盘，焊盘通过引线与铜框架相连接。裸芯片的背面与铜框架连接。裸芯片的正面粘附有有机密封剂层，有机密封剂层的模量小于塑封层的模量。本申请实施例通过在芯片正面粘附低模量有机密封剂的方式，来形成缓冲层以吸收掉本该由芯片本身承受的热应力。这样将减少芯片发生开裂的情况，从而起到保护芯片的作用。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及芯片封装领域，尤其涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。

技术介绍

1、功率半导体器件作为电力电子系统中的关键组成部分，主要用于电力设备的电能变换以及控制电路方面。在过去的几十年内，以硅基为主的功率器件有了长足的发展，其应用的领域和人们对其的认知也有了巨大的拓展。

2、碳化硅(silicon carbide，sic)作为宽禁带半导体材料，拥有更高的热特性和电子特性。这使得以sic为基底材料的功率半导体器件能在更高的温度、频率和电压下工作。同时，sic器件还具有更小的开关损耗，在功率器件领域具有更大的潜力。而现有的sic芯片的封装结构，通常是塑封层-芯片-铜框架的三层式结构，即裸芯片的背面连接铜框架，通过铜框架与电路板实现电连接，而裸芯片的正面则被塑封层包裹。

3、由于sic的热膨胀系数(coefficient ofthermal expansion，cte)远远低于塑封料以及铜的cte，因此该种封装结构在封装过程中将造成较为严重的cte失配，从而诱导出较大的热应力。而sic本身具有很高的模量，这使得sic芯片不仅会诱导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述有机密封剂层的模量低于1GPa。

3.根据权利要求1至2任一项所述的结构，其特征在于，所述有机密封剂层的材料包括分子结构中包括硅氧烷键的硅橡胶、分子结构中包括硅氧烷键的硅树脂以及分子结构中含有两个以上环氧基能团的有机高分子聚合物的一种或者多种。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括过渡热沉层；

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述过渡热沉层的材料为金属/合金材料，或者金属/合金材料与陶瓷材料相结合的复...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述有机密封剂层的模量低于1gpa。

3.根据权利要求1至2任一项所述的结构，其特征在于，所述有机密封剂层的材料包括分子结构中包括硅氧烷键的硅橡胶、分子结构中包括硅氧烷键的硅树脂以及分子结构中含有两个以上环氧基能团的有机高分子聚合物的一种或者多种。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括过渡热沉层；

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述过渡热沉层的材料为金属/合金材料，或者金属/合金材料与陶瓷材料相结合的复合材料。

6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟军，杨鹤立，王泽宇，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：