【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及一种利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法。
技术介绍
1、半导体芯片在工业电子、通信技术、医疗电子以及物联网等多个领域具有广泛的应用，是智能手机、电脑、工业自动化设备、通信基站、医疗设备和物联网终端等产品的核心组件，负责数据处理、传输和控制等功能。半导体芯片的应用极大地推动了这些领域的智能化、高效化和互联互通，对科技进步和社会发展起到了至关重要的作用。
2、由于半导体芯片在制造或加工过程中往往会因为应力分布不均、切削或挤压等因素，导致内部出现微纳裂纹或其他微观缺陷，最终使得在一些极端工作条件下往往会发生微观缺陷的扩展，从而使得该元件产生永久性损伤，且无法到达原有的使用效果。目前抑制材料的缺陷产生已有多种方法，例如有不少学者通过对材料的加工参数不断优化调整使得材料内部的位错等缺陷的产生得到有效控制；还有学者发现可以对材料镀膜来减少材料的表面缺陷。但这些方式都无法完全抑制或修复材料内部的缺陷。
3、目前半导体芯片的修复方法，如申请公布号为cn115458447a的专利技术专利...
【技术保护点】
1.一种利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法，其特征在于：其包括以下步骤：分三次向半导体芯片接入高频交流电，三次接入的高频交流电的电流方向相互垂直，用高频交流电的电子依次从三个方向来回撞击半导体芯片内部的原子，使得半导体芯片内部的原子从三个方向依次向能量更低的位置规则排布，进而修复半导体芯片内部的在三个电流方向上的缺陷。
2.根据权利要求1所述的利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法，其特征在于：其包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法，其特征在于：所述的高频交流电采用...
【技术特征摘要】
1.一种利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法，其特征在于：其包括以下步骤：分三次向半导体芯片接入高频交流电，三次接入的高频交流电的电流方向相互垂直，用高频交流电的电子依次从三个方向来回撞击半导体芯片内部的原子，使得半导体芯片内部的原子从三个方向依次向能量更低的位置规则排布，进而修复半导体芯片内部的在三个电流方向上的缺陷。
2.根据权利要求1所述的利用电子风力的半导体芯片大规模一致性缺陷修复方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱吴乐，李岳隆，甄宗保，巨阳，居冰峰，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。