管道组件及化学气相沉积设备制造技术

本公开提供了一种管道组件及化学气相沉积设备，属于半导体制备领域。该管道组件，应用于化学气相沉积设备，管道组件包括：前端管道和连接管道；前端管道包括管道主体和接头，接头位于管道主体的外壁，且与管道主体连通，管道主体的第一端与化学气相沉积设备的真空泵相连，管道主体的第二端与化学气相沉积设备的第一待抽真空部相连；连接管道的第一端与接头相连，连接管道的第二端与化学气相沉积设备的第二待抽真空部相连。本公开能够实现可靠的抽真空。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于半导体制备领域，特别涉及一种管道组件及化学气相沉积设备。

技术介绍

1、化学气相沉积设备是半导体芯片制备所需的一种设备，其用于生长半导体芯片的外延层。

2、在相关技术中，化学气相沉积设备包括反应腔体，反应腔体由盖体和腔体组成，盖体和腔体之间通过双重密封圈实现密封。另外，通过文丘里抽气的方式，来实现双重密封圈之间缝隙的抽真空。

3、然而，文丘里抽气的方式需要消耗大量的氮气，且故障率较高。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种管道组件及化学气相沉积设备，能够实现可靠的抽真空。所述技术方案如下：

2、一方面，本公开实施例提供了一种管道组件，应用于化学气相沉积设备，所述管道组件包括：前端管道和连接管道；

3、所述前端管道包括管道主体和接头，所述接头位于所述管道主体的外壁，且与所述管道主体连通，所述管道主体的第一端与所述化学气相沉积设备的真空泵相连，所述管道主体的第二端与所述化学气相沉积设备的第一待抽真空部相连；

4、所述连接管道的第一端与所述接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种管道组件，其特征在于，应用于化学气相沉积设备，所述管道组件包括：前端管道(10)和连接管道(20)；

2.根据权利要求1所述的管道组件，其特征在于，所述管道主体(110)包括依次相连的第一接口段(111)、波纹段(112)和第二接口段(113)；

3.根据权利要求2所述的管道组件，其特征在于，所述波纹段(112)的长度大于所述第一接口段(111)的长度，且所述波纹段(112)的长度大于所述第二接口段(113)的长度。

4.根据权利要求2所述的管道组件，其特征在于，所述第一接口段(111)远离所述波纹段(112)的一端具有第一法兰环(130)，所...

【技术特征摘要】

1.一种管道组件，其特征在于，应用于化学气相沉积设备，所述管道组件包括：前端管道(10)和连接管道(20)；

2.根据权利要求1所述的管道组件，其特征在于，所述管道主体(110)包括依次相连的第一接口段(111)、波纹段(112)和第二接口段(113)；

3.根据权利要求2所述的管道组件，其特征在于，所述波纹段(112)的长度大于所述第一接口段(111)的长度，且所述波纹段(112)的长度大于所述第二接口段(113)的长度。

4.根据权利要求2所述的管道组件，其特征在于，所述第一接口段(111)远离所述波纹段(112)的一端具有第一法兰环(130)，所述第一法兰环(130)与所述第一接口段(111)同轴；

5.根据权利要求4所述的管道组件，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏，袁将峰，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：