【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁传感器模块以及检测缸筒内的活塞位置的活塞位置 检测装置，详细地说，是涉及从缸筒的外侧检测油缸、气缸等流体压力 缸内的活塞位置的活塞位置检测装置。本申请主张于2007年2月26日在日本提出的专利申请特愿 2007-045295号、以及于2007年7月20日在日本提出的专利申请特愿 2007-189692号的优先权，并在此援引其内容。
技术介绍
磁传感器是检测磁通密度的高低的传感器，作为开闭传感器以及接 近铁板等磁性体而使用的接近传感器被使用。至今为止的磁传感器大多 是将霍尔传感器作为电磁转换元件使用。在将至今为止的磁传感器作为 接近传感器使用时，大多是如图13A、图13B、图14那样的构成(例 如参考专利文献1~3、非专利文献1~3)。在图13A、图13B中，作为接近传感器使用的磁传感器具有以下的 构成。即、如图13A所示，按照磁通4在与霍尔元件(或包含开关功能 的霍尔IC ) 2的长度方向垂直的方向上贯穿霍尔元件2的方式，相对霍 尔元件2配置磁铁1。当磁性体3接近该磁传感器时，如图13B所示， 由于磁通4被磁性体3吸收，所以施加到霍尔元件2的磁通...
【技术保护点】
一种磁传感器模块，包括： 半导体基板，其具有进行开关动作的集成电路； 磁阻元件，其设置在该半导体基板的一个面上，且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向； 偏置磁场施加部件，其设置在所述半导体基板上，且配置在与所述一个面平行的 面上， 所述偏置磁场施加部件，在沿着配置了该偏置磁场施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该偏置磁场施加部件在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：糸井和久，长洲胜文，相沢卓也，中尾知，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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